[发明专利]一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法无效

专利信息
申请号: 201310142843.0 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN103193487A 公开(公告)日: 2013-07-10
发明(设计)人: 王金凤;张善涛;周健;顾正彬;陈延彬;姚淑华;陈延峰 申请(专利权)人: 南京大学
主分类号: C04B35/622 分类号: C04B35/622;C04B35/26
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 柏尚春
地址: 210093*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 定量 控制 sr sub femoo 陶瓷 位反位 缺陷 浓度 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法。

背景技术

作为A2B’B’’O6双钙钛矿氧化物的代表性材料之一,Sr2FeMoO6具有良好的磁性和输运特性,特别是其铁磁居里温度(Tc~415K)高于室温,因此该材料在很多工作温度在室温或以上的器件中有着非常重要的应用前景。同时作为关联体系材料,Sr2FeMoO6也是研究各种基本物理问题的重要研究对象之一。这些年来,关于铁磁性双钙钛矿氧化物材料的研究得到了很好的发展。Sr2FeMoO6中,理论上B位的Fe/Mo是交替排列的,如果Fe占据Mo位或Mo占据Fe位,会导致反位缺陷(anti-site defect)的产生,这严重影响Sr2FeMoO6的磁性、输运性能、费米能级附近的电子自旋极化和居里温度。目前,在实验工作方面没有关于定量控制Sr2FeMoO6的反位缺陷浓度的报道。而寻找能够定量控制Sr2FeMoO6的B位反位缺陷浓度方法,对研究这类材料的性质及其物理本质、优化材料的制备条件,从而实现材料的实际应用具有重要意义。

因此,需要一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法以解决上述问题。

发明内容

发明目的:本发明的目的是针对现有技术中没有定量控制Sr2FeMoO6型双钙钛矿氧化物材料的B位反位缺陷浓度的问题,提供一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷中B位反位缺陷浓度的方法以解决上述问题。

技术方案:为实现上述发明目的,本发明的室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法可采用如下技术方案:

一种定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法,包括以下步骤:

(1)根据化学式Sr2FeMoO6,称量经过干燥处理的SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末;

(2)、将SrCO3、Fe2O3和MoO3粉末混合,经第一次球磨处理、预烧、第二次球磨处理使三种粉末混合均匀;

(3)、将混合均匀的粉末混合物压成薄片;

(4)、将的步骤(2)所得的粉末混合物放入坩埚,再把步骤(3)所得的薄片放入,并用步骤(2)所得的粉末混合物覆盖所述薄片,使所述薄片埋于步骤(2)所得的粉末混合物之中;

(5)、将装有薄片的坩埚放入马弗炉中,通入流动的5%H2和95%Ar的保护气,气体流量为65ml/min,升温至烧结温度1473K,保持65ml/min的气体流量和1473K的烧结温度,反应时间为4-16h,得到具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷。

有益效果:与现有技术相比,本发明的定量控制Sr2FeMoO6陶瓷B位反位缺陷浓度的方法所需的设备和制备过程简单,通过在特定的反应条件下,简单改变反应时间,即可以得到一系列具有不同B位反位缺陷浓度的Sr2FeMoO6陶瓷。

附图说明

图1是实施例制备得到的系列Sr2FeMoO6陶瓷的x射线衍射谱(XRD);

图2是实施例制备得到的系列Sr2FeMoO6陶瓷的低温(10K)磁滞回线;

图3是实施例制备得到的系列Sr2FeMoO6陶瓷的磁化强度-温度曲线。

具体实施方式

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