[发明专利]一种二硫化钼薄膜材料的制备方法无效
| 申请号： | 201310142768.8 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103205724A | 公开（公告）日： | 2013-07-17 |
| 发明（设计）人： | 陶占良;王丽秀;郭爽;陈军;李海霞;程方益;梁静 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06 |
| 代理公司： | 天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 | 代理人： | 侯力 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二硫化钼 薄膜 材料 制备 方法 | ||
1.一种二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于：以MoS2靶材为原料，在氩气和硫化氢混合气体环境中，通过磁控溅射法在基底上制备MoS2薄膜，制备步骤如下：
1）在磁控溅射腔体内样品位置安装清洗好的基底，再安装MoS2靶材，靶材的纯度大于99.9%，靶材指向样品位，靶材与基底的距离为3-10cm；
2）对腔体本底抽真空至1.0×10-3Pa以下，向腔体中通入纯度为99.99%以上的Ar气，在基体电流密度为3mA/cm2、基体偏压为-600V条件下溅射清洗好的基底10min；
3）向腔体中通入纯度为99.99%以上的Ar气-H2S混合气，调节溅射腔室内气压为0.1-10.0Pa，使用射频磁控溅射模式在基底上溅射，基底温度为25-300℃，基底转速为10-30r/min，射频磁控溅射的工艺参数：电源的电流为100-350mA，电压为500-1500V，溅射时间为5-180min，二硫化钼薄膜材料的厚度为0.1-10.0μm；
4）溅射完成后，自然冷却至25℃，即可制得二硫化钼薄膜材料。
2.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述基底为Mo网/片、单晶硅Si片、Al网/片、Ni网/片、铜网/片、不锈钢网/片或导电玻璃。
3.根据权利要求1所述二硫化钼薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述Ar气-H2S混合气中Ar气的体积百分比为85-95%，流量为10-200sccm。
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