[发明专利]抗辐照红外焦平面探测器读出电路无效

申请号：	201310142611.5	申请日：	2013-04-23
公开（公告）号：	CN103268874A	公开（公告）日：	2013-08-28
发明（设计）人：	李敬国;邓旭光;吉晶晶;岳冬青;于艳;刘晓磊;马静;刘万金	申请（专利权）人：	中国电子科技集团公司第十一研究所
主分类号：	H01L23/552	分类号：	H01L23/552;H01L29/06;H01L29/78
代理公司：	工业和信息化部电子专利中心 11010	代理人：	张蕾
地址：	100015***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	辐照红外平面探测器读出电路
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【说明书】：

技术领域

本发明涉及光电技术领域，尤其涉及一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路。

背景技术

焦平面读出电路作为红外探测器的一个重要组成部分，通常由CMOS工艺来制作完成。辐照对CMOS集成电路的影响主要是总剂量（TID）效应，总剂量效应会导致MOS器件阈值电压的漂移和MOS器件漏电的增加。而工作在太空中的红外探测器会受到各种辐射源的影响，这些辐射源会对探测器产生不利的影响，甚至使探测器的功能失效。所以，如何提高红外焦平面探测器的抗辐照水平成为现在亟待需要解决的问题。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提供一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路，用以进一步提高红外焦平面探测器的抗辐照水平。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

一种抗辐照红外焦平面探测器读出电路，包括：

在红外焦平面读出电路设计过程中，对辐照敏感电路采用抗辐照金属氧化物半导体器件结构，减少总剂量效应带来的器件阈值漂移，阻断源级与漏级边缘漏电通路，并对重要电路采用P型隔离环在物理上阻断金属氧化物半导体器件结构之间的漏电通路。

优选地，所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构为环栅结构和环源结构。

优选地，当所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构在设计中宽长比大于或等于2.5时，采用所述环栅结构；

当所述抗辐照金属氧化物半导体器件结构在设计中宽长比小于2.5时，采用所述环源结构。

优选地，所述环栅结构减少总剂量效应所带来的所述金属氧化物半导体器件的阈值漂移，并将所述金属氧化物半导体器件结构的源极与漏极分离，阻断所述金属氧化物半导体器件结构的源极与漏极之间的边缘漏电通路。

优选地，所述环源结构减少总剂量效应带来的所述金属氧化物半导体器件的阈值漂移，并改变所述金属氧化物半导体器件结构的场氧隔离位置，阻断所述金属氧化物半导体器件结构的源级与漏极之间的边缘漏电通路。

优选地，所述辐照敏感电路包括：焦平面像素阵列电路、列模拟处理电路、输出缓冲电路或者输入输出静电保护电路。

优选地，所述重要电路具体包括：焦平面像素阵列电路、列模拟处理电路、输出缓冲电路或者模拟输入输出静电保护部位电路。