[发明专利]纯氮气环境下的铜线键合方法无效
| 申请号： | 201310142393.5 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103199059A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 王波 | 申请（专利权）人： | 山东泰吉星电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 谢省法 |
| 地址： | 262200 山东省潍坊市诸*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氮气 环境 铜线 方法 | ||
【权利要求书】：
1.纯氮气环境下的铜线键合方法，用于将铜线键合在第一焊点和第二焊点之间，其特征在于：包括以下步骤，
步骤一、用高压电火花将铜线一端熔成第一焊球，通过超声键合将所述第一焊球在纯氮气环境中键合于所述第一焊点上，完成所述铜线与所述第一焊点的键合；
步骤二、用高压电火花将所述铜线另一端熔成第二焊球，通过超声键合将所述第二焊球在纯氮气环境中键合于所述第二焊点上，完成所述铜线与所述第二焊点的键合。
2.如权利要求1所述的纯氮气环境下的铜线键合方法，其特征在于：所述第一焊点位于芯片上，所述第二焊点位于引线框架的焊脚区。
3.如权利要求1所述的纯氮气环境下的铜线键合方法，其特征在于：所述第一焊点和所述第二焊点分别位于不同的芯片上。
4.如权利要求1所述的纯氮气环境下的铜线键合方法，其特征在于：所述第一焊点和所述第二焊点位于同一芯片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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