[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201310142130.4 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112666A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张永奎;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；
在沟槽中形成隔离层；
在鳍片中和/或鳍片与衬底界面处形成穿通阻挡层；
刻蚀隔离层以暴露部分鳍片，剩余隔离层构成浅沟槽隔离。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成鳍片和沟槽的步骤进一步包括：在衬底上形成硬掩模层；以硬掩模层为掩模，刻蚀衬底形成鳍片和沟槽。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成穿通阻挡层的步骤进一步包括：执行离子注入，使得注入的元素分布在鳍片中和/或鳍片与衬底界面处；退火，使得注入的元素与鳍片和/或衬底反应形成穿通阻挡层。
4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，注入的元素包括N、C、F、P、Cl、As、B、In、Sb、Ga、Si、Ge及其组合。
5.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，注入的元素包括氧。
6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽隔离之后进一步包括：
在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠；
在假栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙和源漏区；
在器件上形成层间介质层；
去除假栅极堆叠，在层间介质层中留下栅极沟槽；
在栅极沟槽中形成栅极堆叠；
刻蚀层间介质层形成暴露源漏区的接触孔；
在接触孔中形成金属硅化物和接触塞。
7.如权利要求6的半导体器件制造方法，其中，源漏区包括外延生长的提升源漏区。
8.一种半导体器件，包括：
多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；
浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间；
穿通阻挡层，位于鳍片中和/或鳍片与衬底界面处。
9.如权利要求8的半导体器件，其中，穿通阻挡层为高掺杂区。
10.如权利要求9的半导体器件，其中，高掺杂区包括N、C、F、P、Cl、As、B、In、Sb、Ga、Si、Ge及其组合。
11.如权利要求8的半导体器件，其中，穿通阻挡层为氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
