[发明专利]一种有机电致发光二极管显示装置有效
| 申请号: | 201310142081.4 | 申请日: | 2013-04-23 |
| 公开(公告)号: | CN103236435A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
| 发明(设计)人: | 周莉;李玥 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 二极管 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示器领域,尤其涉及一种有机电致发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,简称为OLED)显示装置。
背景技术
近来,由于信息技术的迅速发展,用于各种电子设备的显示器件变得非常重要。现有技术中的OLED显示装置,包括:透明基板、设于透明基板上的多个发光单元,所述发光单元均包括阳极、空穴传输层、发光模块、电子传输层及阴极;每个发光单元都由其对应的一个TFT(Thin Film Transistor,薄膜场效应晶体管)驱动发光,每个发光单元对应一个子像素。由于OLED显示装置的层级结构少,可以制作得更加轻薄,且所述发光模块能够自发光显著节省电能,故逐渐发展和成熟起来,逐渐占据显示市场。
现有的各种OLED中,RGB三色OLED制作工艺比较复杂,且不容易实现高分辨率;而白光OLED采用在发光模块上面加RGB彩膜的结构比较容易实现高分辨率,但由于RGB彩膜透过率较低,会影响显示装置的亮度;采用RGBW彩膜的OLED,通过增加一个像素W来增加显示装置亮度,但会这样会影响显示装置色域。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED显示装置,可以实现高分辨率,提高显示装置的显示品质。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
一种有机电致发光二极管显示装置,包括发光模块和彩膜层,所述彩膜层包括若干子像素,其中,至少一个所述子像素包含量子点材料;所述发光模块,包括与所述彩膜层上的子像素对应的若干发光单元。
优选的,所述子像素对应有红、绿、蓝三种颜色;
所述彩膜层上对应红色的子像素包含发红色光的量子点,所述彩膜层上对应绿色的子像素包含发绿色光的量子点,所述彩膜层上对应蓝色的子像素包含发蓝色光的量子点;
所述发光模块中的发光单元发射可激发所述发红光的量子点、所述发绿光的量子点和所述发蓝光的量子点的光。
优选的,所述子像素对应有红、绿、蓝三种颜色;
所述发光模块上的发光单元为发射蓝光的发光单元;
所述彩膜层上对应红色的子像素包含发红色光的量子点,所述彩膜层上对应绿色的子像素包含发绿色光的量子点,所述彩膜层上对应蓝色的子像素包含透明材料。
优选的,所述发光模块上的蓝光发光单元为可发蓝色光的有机电致发光二极管。
可选的,所述量子点包括:核;形成在所述核外的壳以及形成于壳外部的有机配位体;
其中,所述量子点的核由材料ZnS、ZnO、GaN、ZnSe、CdS、ZnTe、GaSe、CdSe、CdTe、GaAs、InP、GaSb、InAs、Te、PbS、InSb、PbTe和PbSe中的一种或多种混合而成;
所述量子点的壳由SiO、TiO、ZnO、SiO2和MgO中的任意一种形成;
所述有机配位体包括S、P、COOH和NH4基团。
本发明实施例提供的OLED显示装置,包括发光模块和彩膜层,所述彩膜中的至少一个子像素包含量子点材料,发光模块的发光单元发出的光通过彩膜可以形成各种颜色的光。发明实施例制程简单容易实现高分辨率。且由量子点材料形成的彩膜通过发光单元的激发后也会发光,可以增加显示装置的亮度,使显示装置显示的图像色彩表现更好,更加鲜活,提高了显示装置的显示品质。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种OLED显示装置的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种制作有彩膜的基板的俯视结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种量子点结构示意图。
附图说明:
11-透明基板;12-彩膜层,121-像素区域,1211-子像素;13-发光模块,131-发光单元。
具体实施方式
下面结合附图对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
本发明实施例提供了一种OLED显示装置,如图1所示,包括透明基板11,以及设置在透明基板11上的彩膜层12和发光模块13。
如图1所示,所述彩膜层12包括若干子像素1211,其中,至少一个所述子像素包含量子点材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310142081.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:转子冷却结构
- 下一篇:防止背侧照明成像传感器中的漏光
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





