[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件制造方法，包括：

在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片和沟槽；

在沟槽中形成浅沟槽隔离，浅沟槽隔离至少包括多个未掺杂的第一隔离层以及掺杂的第二隔离层；

退火，使得掺杂的第二隔离层中杂质扩散形成穿通阻挡层，其中掺杂的第二隔离层、未掺杂的第一隔离层的厚度依照穿通阻挡层的位置需要而设定。

2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽隔离的步骤进一步包括：在沟槽中填充多个未掺杂的第一隔离层与掺杂的第二隔离层构成的隔离层堆叠，覆盖鳍片侧壁以及顶部；刻蚀隔离层堆叠以暴露一部分鳍片侧壁。

3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，掺杂的隔离层包括BSG、PSG、BPSG、掺杂氧化硅、掺杂的SOG、掺杂氮化硅、掺杂非晶硅、掺杂多晶硅、掺杂非晶碳、掺杂low-k、掺杂聚合物及其组合。

4.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，掺杂的隔离层中的杂质包括C、F、N、O、B、P、As、Ge、Ga、In、Sb、Si及其组合。

5.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，杂质向埋设在浅沟槽隔离中的鳍片侧向扩散形成位于鳍片底部的沟道穿通阻挡层，和/或杂质向鳍片与衬底界面处向下扩散形成位于衬底顶部的浅沟槽隔离穿通阻挡层。

6.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，浅沟槽隔离或者未掺杂的隔离层包括氧化硅、氮氧化硅、氢氧化硅、氮化硅、含碳氧化硅、low-k、有机物及其组合。

7.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成浅沟槽隔离之后进一步包括：

在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠；

在假栅极堆叠的沿第一方向的侧面形成栅极侧墙和源漏区；

在器件上形成层间介质层；

去除假栅极堆叠，在层间介质层中留下栅极沟槽；

在栅极沟槽中形成栅极堆叠；

刻蚀层间介质层形成暴露源漏区的接触孔；

在接触孔中形成金属硅化物和接触塞。

8.一种半导体器件，包括：

多个鳍片，位于衬底上且沿第一方向延伸；

浅沟槽隔离，位于多个鳍片之间，包括多个未掺杂的第一隔离层以及掺杂的第二隔离层；

穿通阻挡层，位于鳍片底部和/或衬底顶部，其中掺杂的第二隔离层、未掺杂的第一隔离层的厚度依照穿通阻挡层的位置需要而设定。

9.如权利要求8的半导体器件，其中，穿通阻挡层为掺杂半导体或者绝缘介质。

10.如权利要求8的半导体器件，其中，穿通阻挡层中进一步包含选自C、F、N、O、B、P、As、Ge、Ga、In、Sb、Si及其组合的杂质。