[发明专利]一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201310141259.3 申请日: 2013-04-22
公开(公告)号: CN103274443A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: 汪阳;郁可;李守川;尹海宏;宋长青;朱自强 申请(专利权)人: 华东师范大学
主分类号: C01G3/02 分类号: C01G3/02;C01G9/02;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L31/0336
代理公司: 上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙) 31257 代理人: 董红曼
地址: 200062 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 四角 树叶 cu sub zno 复合 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料,其特征在于,包括硅片衬底及生长在所述硅片上的四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构;其中,所述Cu2O-ZnO复合纳米结构由Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒组成,所述Cu2O微米颗粒具有四角树叶状结构,所述ZnO纳米颗粒覆盖在所述Cu2O微米颗粒表面;其中,所述Cu2O微米颗粒中心位置具有凹陷,由所述凹陷处向互相垂直的四个方向生长出叶片状之结构的角,其表面具有树叶脉络层状结构。

2.如权利要求1所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料,其特征在于,所述Cu2O微米颗粒在长宽方向上尺寸为1.5~3μm,所述ZnO纳米颗粒直径为20~40nm。

3.一种权利要求1所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法,其特征在于,利用水热合成法分别合成Cu2O微米颗粒和ZnO纳米颗粒,以聚乙烯亚胺作为协助材料使所述ZnO纳米颗粒均匀地复合在Cu2O微米颗粒上,得到所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料。

4.如权利要求3所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)制备Cu2O微米颗粒

将氯化铜、聚乙烯吡咯烷酮、碳酸钾与柠檬酸钾混合搅拌,待变蓝后加入葡萄糖,于80℃真空反应2小时,冷却后经洗涤、烘干得到四角树叶状Cu2O微米颗粒;

(2)制备ZnO纳米颗粒

将尿素溶液与氯化锌混合搅拌,经真空140℃下反应6小时,冷却后洗涤,得到ZnO纳米颗粒;

(3)复合

将所述四角树叶状Cu2O微米颗粒溶解在含有聚乙烯亚胺的去离子水中,加热至90℃反应,冷却并经洗涤后得到Cu2O-PEI溶液;加入所述ZnO纳米颗粒,经混合搅拌、超声处理得到Cu2O-PEI-ZnO沉淀,经洗涤后、滴涂于硅片上并于80℃下烘干;在氩气保护下进行快速退火,制备得到四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料。

5.根据权利要求4所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法,其特征在于,所述混合搅拌由磁力搅拌机对溶液进行均匀搅拌。

6.根据权利要求4所述四角树叶状Cu2O-ZnO复合纳米结构半导体材料的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)、(2)的反应在高压反应釜中进行,所述高压反应釜内管材料是聚四氟乙烯,外管材料是不锈钢。

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