[发明专利]微纳米银、铜或银铜合金薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法，包括如下步骤：

获取半导体基体；

将所述半导体基体浸入反应液中，用紫外光光照所述半导体基体至少1分钟，使在所述半导体基体表面生成微纳米银、铜或银铜合金薄膜；其中，所述反应液中溶解有硝酸银或/和硝酸铜以及氢氟酸，所述硝酸银或/和硝酸铜与氢氟酸的摩尔百分比为1～100：3～10；

将经紫外光光照后的所述半导体基体从反应液中取出后进行干燥处理。

2.根据权利要求1所述的微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述反应液中溶解有硝酸银、硝酸铜、氢氟酸时，其还溶解有聚乙烯吡咯烷酮。

3.根据权利要求1所述的微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法，其特征在于：在所述半导体基体表面生成微纳米银铜合金的步骤中，先将所述半导体基体浸入第一反应液中，用紫外光光照所述半导体基体至少1分钟后，再将所述半导体基体浸入第二反应液中，用紫外光光照所述半导体基体至少1分钟；其中，所述第一反应液中溶解有摩尔百分比为1～80：3～9的硝酸铜、氢氟酸，所述第二反应液中溶解有摩尔百分比为1～2：5～10：4～10的硝酸银、硝酸铜、氢氟酸。

4.根据权利要求1～3所述的微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述反应液中，氢氟酸的溶液浓度为0.03～0.1M，硝酸银的溶液浓度为0.01～1.0M，硝酸铜的溶液浓度为0.05～0.1M。

5.根据权利要求1～3所述的微纳米银、铜或银铜合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述紫外光光照的功率密度为1400～1450mw/cm²。

6.一种微纳米银薄膜，其特征在于：所述微纳米银薄膜由权利要求1所述微纳米银、铜或银铜合金的薄膜制备方法制备而成。

7.一种微纳米铜薄膜，其特征在于：所述微纳米铜薄膜由权利要求1所述微纳米银、铜或银铜合金的薄膜制备方法制备而成。

8.一种微纳米银铜合金薄膜，其特征在于：所述微纳米银铜合金薄膜由权利要求1～5任一项所述微纳米银银、铜或银铜合金的薄膜制备方法制备而成。