[发明专利]开关管及其制备方法、显示面板有效
| 申请号： | 201310140575.9 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN103236441A | 公开（公告）日： | 2013-08-07 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市光明新区公*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 开关 及其 制备 方法 显示 面板 | ||
1.一种开关管，其特征在于，包括：
栅极电极；
覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；
形成于所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；
形成于所述氧化物半导体层上的第一保护层；
与所述氧化物半导体层电连接的源/漏极电极；以及
覆盖所述源/漏极电极的第二保护层；
其中，所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量，所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量小于所述第二保护层的单位体积氢原子含量。
2.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述栅极绝缘层为单位体积氢原子含量大于5%小于10%的硅的氧化物层。
3.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述第一保护层为单位体积氢原子含量大于0小于5%的硅的氧化物层。
4.根据权利要求1所述的开关管，其特征在于，
所述第二保护层为单位体积氢原子含量大于20%的硅的氮化物层。
5.一种显示面板，包括权利要求1-4任一项所述的开关管。
6.一种开关管的制备方法，其特征在于，包括：
在基底上形成栅极电极；
在所述栅极电极上形成覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上形成第一保护层，控制所述第一保护层的单位体积氢原子含量小于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量；
在所述第一保护层上形成源/漏极电极；以及
在所述源/漏极电极上形成覆盖所述源/漏极电极的第二保护层，控制所述第二保护层的单位体积氢原子含量大于所述栅极绝缘层的单位体积氢原子含量。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
所述在所述栅极电极上形成覆盖所述栅极电极的栅极绝缘层的步骤包括：
使用TEOS或SiH4与N2O、N2、O2、O3至少一种的混合气体通过化学气相沉积法在所述栅极电极上形成覆盖所述栅极电极的单位体积氢原子含量大于5%小于10%的所述栅极绝缘层；
所述在所述氧化物半导体层上形成第一保护层的步骤包括：
使用TEOS或SiH4与N2O、N2、O2、O3至少一种的混合气体通过化学气相沉积法在所述氧化物半导体层上形成单位体积氢原子含量大于0小于5%的所述第一保护层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，
所述在所述源/漏极电极上形成覆盖所述源/漏极电极的第二保护层的步骤包括：
使用SiH4、N2、NH3的混合气体通过化学气相沉积法在所述源/漏极电极上形成覆盖所述源/漏极电极的单位体积氢原子含量大于20%的所述第二保护层。
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