[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201310138572.1 | 申请日: | 2013-04-19 |
公开(公告)号: | CN103374713A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 加藤寿;菱谷克幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
该基板处理装置包括:
真空容器;
旋转台,其设于上述真空容器内,在载置圆形的基板的同时进行旋转,其中,在该旋转台的表面设有直径大于上述基板的直径的圆形的凹部,在该凹部内设有圆形的基板载置部,该基板载置部的直径小于该凹部的直径和上述基板的直径且设于比上述凹部的底部高的位置,该基板载置部的中心比上述凹部的中心向上述旋转台的外周部侧偏心;
处理气体供给部,其用于对上述基板供给处理气体;以及
真空排气机构,其用于对上述真空容器内进行真空排气。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
在上述基板因随着上述旋转台的旋转而产生的离心力而与上述凹部的内壁面相接触时,上述基板的周缘部自上述基板载置部突出的突出量在该基板的整个周向上处于1mm以上且小于3mm的范围。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述凹部的中心和上述基板载置部的中心分别以沿着上述旋转台的半径方向彼此分开的方式配置。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还包括用于对上述基板载置部上的上述基板进行加热的加热机构,
上述处理气体用于对上述基板进行薄膜的成膜。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述基板载置部以如下方式设置:在上述旋转台旋转前以使上述凹部与上述基板之间的间隙在上述旋转台的中央部侧和上述旋转台的外周部侧相等的方式将该基板载置于上述基板载置部时的、该基板的周缘部的靠上述旋转台的中央部侧的部分自上述基板载置部突出的突出量等于在基板因随着上述旋转台的旋转而产生的离心力而与上述凹部的内壁面相接触时的、基板的周缘部的靠上述旋转台的外周部侧的部分自上述基板载置部突出的突出量。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述基板载置部以如下方式设置:使在上述基板因上述旋转台的旋转而产生的离心力而与上述凹部的内壁面相接触时的、上述基板的周缘部自上述基板载置部突出的突出量在上述旋转台的中央部侧和上述旋转台的外周部侧相等。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述基板载置部的高度以如下方式设置:在载置有上述基板时,使该基板的表面的高度与上述旋转台的表面的高度相等。
8.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
上述基板载置部的大小以如下方式设定:在上述基板因随着上述旋转台的旋转而产生的离心力而与上述凹部的内壁面相接触时,上述基板的周缘部在整周上超出上述基板载置部。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的