[发明专利]易失性存储装置及其操作方法和控制存储系统的方法

权利要求书

1.一种存储装置，包括：

存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；

命令解码器，所述命令解码器被配置为接收命令；

地址表，所述地址表存储用于识别对应的弱单元行的多个弱单元行地址；

刷新控制电路，所述刷新控制电路被配置为控制存储单元阵列的操作，以周期性地刷新易失性存储单元的多个行，其中，所述刷新控制电路被配置为：当由在地址表中存储的弱单元行地址识别第一弱单元行时，响应于命令解码器接收用于写入到第一弱单元行的写入命令而引起弱单元行的刷新操作，

其中弱单元行包括弱单元和正常单元两者，并且每个弱单元的写入性能比正常单元的写入性能差。

2.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为在接收到用于写入到弱单元行的写入命令后的第一时间段期间，监视刷新操作的序列。

3.根据权利要求2所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为在确定在第一时间段内没有刷新弱单元行后，添加刷新操作到刷新操作的序列。

4.根据权利要求3所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为利用第二时间段的刷新周期来刷新正常单元行，所述第二时间段大于所述第一时间段。

5.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为利用弱单元行的刷新操作来更换第一行的调度的刷新操作。

6.根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为使得在弱单元行的刷新操作之后立即开始第一行的刷新操作。

7.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为使得在第一行的刷新操作的同时，发生弱单元行的刷新操作。

8.根据权利要求1所述的存储装置，其中，所述刷新控制电路被配置为对刷新调度进行分析，以确定刷新调度是否在预定的时间之内包括弱单元行的刷新操作。

9.一种存储装置，包括：

存储单元阵列，包括多个行的易失性存储单元，所述多个行包括弱单元行和正常单元行；

命令解码器，被配置为接收用于指示利用第一时间窗口的第一写入操作的第一写入命令，以及接收用于指示利用第二时间窗口的第二写入操作的第二写入命令，第一写入命令和第二写入命令包括不同的命令代码，从存储装置外部的源接收第一写入命令和第二写入命令；以及

行解码器，被配置为利用第一时间窗口来对弱单元行执行第一写入操作，以及利用第二时间窗口来对正常单元行执行第二写入操作，所述第二时间窗口小于所述第一时间窗口，

其中弱单元行包括弱单元和正常单元两者，并且每个弱单元的写入性能比正常单元的写入性能差。

10.根据权利要求9所述的存储装置，其中，命令解码器被配置为利用第一写入命令和第二写入命令的每个，接收识别将被写入的行的各自的地址，和各自的代码，所述各自的代码用于识别在写入到所识别的行中将被用到的写入时间。

11.根据权利要求9所述的存储装置，其中，所述存储单元阵列进一步包括：

地址表，所述地址表存储用于识别相应的弱单元行的多个弱单元行地址。

12.根据权利要求11所述的存储装置，其中，所述存储装置被配置为将弱单元行地址传输到存储控制器。

13.根据权利要求11所述的存储装置，

其中，所述命令解码器被配置为利用第一写入命令和第二写入命令中的每个，接收识别要被写入的行的各自的地址，

其中，所述存储装置还包括控制电路，所述控制电路被配置为响应于确定利用第一写入命令而接收的地址对应于在所述地址表中存储的弱单元行地址，来选择第一时间窗口。

14.根据权利要求13所述的存储装置，其中，所述控制电路被配置为响应于确定利用第二写入命令而接收的地址不对应于在所述地址表中存储的任何弱单元行地址，来选择第二时间窗口。