[发明专利]一种半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201310135962.3 | 申请日： | 2013-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112663A | 公开（公告）日： | 2014-10-22 |
| 发明（设计）人： | 吴海平;黄宝伟;刘鹏飞;肖秀光 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张大威 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
A.提供衬底；
B.对所述衬底的背面进行掺杂；
C.在所述衬底的背面形成衬垫层；
D.在所述衬底的正面制作正面结构；
E.去除所述衬垫层及减薄所述衬底，以暴露出所述衬底的背面；以及
F.在所述衬底的背面制作背面结构。
2.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底与所述衬垫层的初始厚度之和为400-700微米。
3.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，通过外延或者键合在所述衬底的背面形成衬垫层。
4.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，通过外延方法形成的所述衬垫层时，所述衬底的初始厚度为300-400微米，所述衬垫层的厚度小于100微米。
5.如权利要求3所述的半导体结构形成方法，其特征在于，通过键合方法形成的所述衬垫层时，所述衬底的初始厚度为150-400微米，所述衬垫层的厚度大于100微米。
6.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，通过研磨腐蚀方法去除所述衬垫层及减薄所述衬底。
7.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底的电阻率为10-300Ω/cm。
8.如权利要求1所述的半导体结构形成方法，其特征在于，对所述衬底的背面进行掺杂为深扩散掺杂。
9.如权利要求1-8任一项所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述半导体结构为IGBT器件。
10.如权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述衬底为第一掺杂类型的轻掺杂衬底，并且对所述衬底的背面进行掺杂为第一类型的重掺杂。
11.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构是通过权利要求1-10任一项所述的半导体结构形成方法得到的。
12.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构为IGBT器件。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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