[发明专利]一种断电检测电路及灯具有效

专利信息
申请号: 201310135950.0 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN104111397B 公开(公告)日: 2017-02-08
发明(设计)人: 周明杰;管伟芳 申请(专利权)人: 深圳市海洋王照明工程有限公司;海洋王照明科技股份有限公司
主分类号: G01R31/02 分类号: G01R31/02
代理公司: 深圳中一专利商标事务所44237 代理人: 张全文
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 断电 检测 电路 灯具
【权利要求书】:

1.一种断电检测电路,所述断电检测电路的输入端和输出端分别接电源电路和控制电路,其特征在于,所述断电检测电路还包括:

第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路;

所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路,所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路,所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路,所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路,所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路。

2.如权利要求1所述的断电检测电路,其特征在于,所述充电电路包括:

滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3;

所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地,所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极,所述储能电容C2的负极接地,所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间,所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。

3.如权利要求2所述的断电检测电路,其特征在于,所述开关电路包括:

分压电阻R2、开关管;

所述开关管的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端,所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。

4.如权利要求3所述的断电检测电路,其特征在于,所述开关管采用N型MOS管Q1,所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管的高电位端、控制端、低电位端。

5.如权利要求3所述的断电检测电路,其特征在于,所述开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管的高电压端、控制端、低电压端。

6.一种灯具,所述灯具包括电源电路和控制电路,其特征在于,所述灯具还包括断电检测电路,所述断电检测电路还包括:

第一光电耦合芯片U1、第二光电耦合芯片U2、充电电路以及开关电路;

所述第一光电耦合芯片U1的高电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压控制端和所述电源电路,所述第一光电耦合芯片U1的低电压控制端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压控制端和所述电源电路,所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和所述充电电路,所述第一光电耦合芯片U1的低电压受控端分别接所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端和所述充电电路,所述开关电路分别接所述充电电路和所述控制电路。

7.如权利要求6所述的灯具,其特征在于,所述充电电路包括:

滤波电容C1、二极管D1、储能电容C2、分压电阻R1、分压电阻R3以及充电电容C3;

所述滤波电容C1的正极和负极分别接电源VCC和地,所述二极管D1的阳极和阴极分别接电源VCC和所述储能电容C2的正极,所述储能电容C2的负极接地,所述分压电阻R1连接在所述二极管D1的阴极与所述第一光电耦合芯片U1的高电压受控端之间,所述分压电阻R3、充电电容C3均分别连接在所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端和低电压受控端之间。

8.如权利要求7所述的灯具,其特征在于,所述开关电路包括:

分压电阻R2、开关管;

所述开关管的高电压端、控制端、低电压端分别接所述分压电阻R2的第二端、所述第二光电耦合芯片U2的高电压受控端、所述第二光电耦合芯片U2的低电压受控端,所述分压电阻R2的第一端为所述断电检测电路的输出端。

9.如权利要求8所述的灯具,其特征在于,所述开关管采用N型MOS管Q1,所述N型MOS管Q1的漏极、栅极、源极分别为所述开关管的高电位端、控制端、低电位端。

10.如权利要求8所述的灯具,其特征在于,所述开关管采用NPN型三极管Q2,所述NPN型三极管Q2的集电极、基极、发射极分别为所述开关管的高电压端、控制端、低电压端。

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