[发明专利]一种基于毛细管的表面增强拉曼散射基底的制备方法

权利要求书

1.一种基于毛细管的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、在毛细管内制备三维多孔有序的SiO₂反蛋白石结构光子晶体；

步骤二、利用原位还原或者静电吸附的方法在三维多孔有序的SiO₂反蛋白石结构内负载金纳米粒子。

2.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：步骤一所述的在毛细管内制备三维多孔有序的SiO₂反蛋白石结构光子晶体是通过将质量分数为5%的PS胶体溶液和质量分数为30%的SiO₂胶体溶液按体积比为25：1～30：1混合均匀，其中PS胶体溶液中胶体粒子的直径在197nm～326nm之间，SiO₂胶体溶液中胶体粒子的直径在3～10nm，将混合液吸入毛细管进行共组装，待水分蒸发后高温锻烧去除PS模板而得到。

3.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：步骤二所述的原位还原的方法是：通过将HAuCl₄溶液和还原剂的混合液缓慢通过毛细管，同时将毛细管置于水浴加热，达到在反蛋白石结构光子晶体内原位还原金纳米粒子的目的。

4.根据权利要求3所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：所述的还原剂是百分比浓度为1%的柠檬酸三钠水溶液，所述HAuCl₄溶液的百分比浓度为0.01%，所述HAuCl₄溶液和柠檬酸三钠水溶液的体积比为：100:0.25～100：2.5。

5.根据权利要求1所述的表面增强拉曼散射基底的制备方法，其特征在于：步骤二所述的静电吸附的方法是通过在SiO₂反蛋白石结构表面修饰氨基，利用氨基的配位作用使金纳米粒子吸附在SiO₂表面得到的。