[发明专利]系统级ESD保护的共享堆叠BJT钳位

权利要求书

1.一种静电放电ESD保护电路，用于多个集成电路引脚，包括：

第一双极结型晶体管BJT堆叠，具有被连接到第一集成电路引脚的第一端子，以及被连接到第一节点的第二端子，并且包括串联连接的第一多个双极型晶体管，每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区；

第二BJT堆叠，具有被连接到第二集成电路引脚的第一端子，以及被连接到第二节点的第二端子，并且包括串联连接的第二多个双极型晶体管，每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区；以及

第三共享的BJT堆叠，具有分别地在所述第一和第二节点处被连接到所述第一和第二BJT堆叠的第一端子，以及耦合于共享的参考电压端子的第二端子，所述第三共享的BJT堆叠包括串联连接的第三多个双极型晶体管，每个双极型晶体管都形成有提供预定的触发电压的基极到集电极间距尺寸并且具有跨共享的二极管连接到参考电压的集电极区。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述第一双极结型晶体管BJT堆叠包括：

第一双极型晶体管，包括第一基极区、第一发射极区、以及第一集电极区，所述第一集电极区与所述第一基极区间隔开第一基极到集电极间距尺寸，所述第一基极到集电极间距尺寸给所述第一双极型晶体管提供第一触发电压，其中所述第一基极区和第一发射极区被连接到所述第一集成电路引脚；以及

第二双极型晶体管，包括第二基极区、第二发射极区、以及第二集电极区，所述第二集电极区与所述第一集电极区相连并且与所述第二基极区间隔开第二基极到集电极间距尺寸，所述第二基极到集电极间距尺寸给所述第二双极型晶体管提供第二触发电压，其中所述第二基极区和第二发射极区一起被连接到所述第一节点。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其中所述第二BJT堆叠包括：

第三双极型晶体管，包括第三基极区、第三发射极区、以及第三集电极区，所述第三集电极区与所述第三基极区间隔开第三基极到集电极间距尺寸，所述第三基极到集电极间距尺寸给所述第三双极型晶体管提供第三触发电压，其中所述第三基极区和第三发射极区被连接到所述第二集成电路引脚；以及

第四双极型晶体管，包括第四基极区、第四发射极区、以及第四集电极区，所述第四集电极区与所述第三集电极区相连并且与所述第四基极区间隔开第四基极到集电极间距尺寸，所述第四基极到集电极间距尺寸给所述第四双极型晶体管提供第四触发电压，其中所述第四基极区和第四发射极区一起被连接到所述第二节点。

4.根据权利要求3所述的ESD保护电路，其中所述第三共享的BJT堆叠包括：

第五双极型晶体管，包括第五基极区、第五发射极区、以及第五集电极区，所述第五集电极区与所述第五基极区间隔开第五基极到集电极间距尺寸，所述第五基极到集电极间距尺寸给所述第五双极型晶体管提供第五触发电压，其中所述第五基极区和第五发射极区耦合于所述第一节点和所述第二节点；以及

第六双极型晶体管，包括第六基极区、第六发射极区、以及第六集电极区，所述第六集电极区与所述第五集电极区相连并且与所述第六基极区间隔开第六基极到集电极间距尺寸，所述第六基极到集电极间距尺寸给所述第六双极型晶体管提供第六触发电压，其中所述第六基极区和第六发射极区被连接在一起并且耦合于所述共享的参考电压端子。

5.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其中所述第一双极结型晶体管BJT堆叠和第三共享的BJT堆叠在所述第一集成电路引脚和所述共享的参考电压端子之间串联连接以提供第一ESD钳位以保护所述第一集成电路引脚免于正反向ESD暂现事件。

6.根据权利要求5所述的ESD保护电路，其中所述第二BJT堆叠和第三共享的BJT堆叠在所述第二集成电路引脚和所述共享的参考电压端子之间串联连接以提供第二ESD钳位以保护所述第二集成电路引脚免于正反向ESD暂现事件。

7.根据权利要求6所述的ESD保护电路，其中所述第一ESD钳位提供第一组合触发电压，所述第一组合触发电压与由所述第二ESD钳位提供的第二组合触发电压不同。

8.根据权利要求6所述的ESD保护电路，其中所述第一ESD钳位提供第一组合触发电压，所述第一组合触发电压与由所述第二ESD钳位提供的第二组合触发电压相同。