[发明专利]一种LED测试结构、测试方法及该结构的制作方法

权利要求书

1. LED测试结构，包括：

基板；

接合层，形成于所述基板上；

反射层，形成于所述接合层上，包含有金属反射结构；

p型外延层、有源层、n型外延层依次叠放于所述反射层之上；

N电极，位于n型外延层之上；

至少两个P电极，与所述金属反射结构形成欧姆接触且与n型外延层和有源层之间绝缘；

其中，所述金属反射结构呈条形状，使得当金属发生迁移时电阻变化能够通过电子仪器探测。

2. 根据权利要求1所述的LED测试结构，其特征在于：所述反射层的金属反射结构为蛇形，其它部分填充有绝缘材料。

3. 根据权利要求2所述的LED测试结构，其特征在于：所述蛇形状金属反射结构的两个端点分别与不同的P电极形成欧姆接触。

4. 根据权利要求1所述的LED测试结构，其特征在于：所述反射层的金属反射结构的线宽小于10um，以使金属发生迁移时电阻变化能够通过电子仪器探测。

5. 根据权利要求1所述的LED测试结构，其特征在于：所述反射层的金属反射结构的面积不小于该层面积的1/2。

6. 根据权利要求1所述的LED测试结构，其特征在于：所述反射层的金属反射结构包含粘附金属材料、反射金属材料和阻挡金属材料。

7. 根据权利要求1所述的LED测试结构，其特征在于：所述接合层为金属键合层，其与反射层之间还设有绝缘层。

8. LED测试结构的制作方法，包括步骤：

1) 提供一生长衬底，在其上依次外延形成n型外延层、有源层、p型外延层；

2) 在p型外延层的预设位置制作反射层，其具有呈条形状的金属反射层，使金属发生迁移时电阻变化能够通过电子仪器探测；

3) 在所述反射层上形成接合层；

4) 将前述外延结构反转置于一支撑基板上，并移除所述生长衬底，露出n型外延层；

5)单一化处理所述外延结构，形成一系列电性独立的单元；

6）在前述预设位置对应形成的单元上制作N电极和至少两个P电极，其中N电极位于n型外延层上，P电极与金属反射层相形成欧姆接触且与n型外延层和有源层之间绝缘。

9. 根据权利要求8所述的LED测试结构的制作方法，其特征在于：形成的金属反射结构呈蛇形状，其两个端点分别与不同的P电极形成欧姆接触。

10.  LED测试方法，包括步骤：

    1）在晶圆的预设点设置如权利要求1至7任意一项所述的LED测试结构；

2）在所述LED测试结构的P电极和N电极注入一激发电流，使LED发光；

3）在所述LED测试结构的两个P电极注入一测试电流，测量所述金属反射结构的电阻；

4）根据金属反射结构电阻随时间的变化，判断是否有电迁移的发生。

11. 根据权利要求10所述的LED测试方法，其特征在于：当电阻变化超过10%时，判定金属反射结构发生电迁移。