[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

现有显示器多基于非晶硅(a-si)，即显示面板的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)多采用非晶硅材料，但相比之下，多晶硅(Poly-Si)具有更高的电子迁移率，被认为是比非晶硅更佳的TFT制作材料。

如图1所示，现有多晶硅阵列基板自下而上依次包括：基板10、设置在基板10上的缓冲层11(SiO_x/SiN_x的叠层结构)、多晶硅有源层12、栅绝缘层13、栅极14和层间绝缘层(ILD)15，还包括设置在层间绝缘层15之上的源漏金属层源漏电极(图中未示出)，源漏金属层源漏电极通过层间过孔100与多晶硅有源层12接触导通。其中，层间绝缘层15除了需要良好的覆盖特性与绝缘效果外，还需要高的可见光透过度，为了达到以上目的及抵挡外来水汽及机械性刮伤，层间绝缘层15多采用SiO_x、SiN_x或者二者的叠层结构SiO_x/SiN_x作为层间绝缘层。具体实施中多采用SiO_x/SiN_x的叠层结构，除拥有相当不错的电学特性外，而且，制备SiN_x层的工作气体包含氢气，因此形成SiN_x层的同时还具有对已有膜层进行氢化处理的效果。

在形成层间过孔100时，发明人发现现有技术至少存在如下问题：

由于层间绝缘层15一般较厚，而且是叠层结构，再加上形成层间过孔100时，除刻蚀层间绝缘层15外还需要刻蚀栅绝缘层13，待刻蚀膜层过厚，并且与多晶硅相比，SiO_x刻蚀难度大很多，物理刻蚀时很难调试出二者极佳的选择刻蚀比工艺，而且有源层的多晶硅比较薄，往往出现有的区域没刻蚀透，有的区域又严重过刻蚀导致有源层损坏，严重影响产品良率，以及低温多晶硅技术在大尺寸显示上的应用。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置，可解决形成层间过孔时，刻蚀不均匀、没刻蚀透、过度刻蚀等问题，降低工艺不良率。

为解决上述技术问题，一方面，本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，包括：形成有源层，所述形成有源层之后，还包括：

在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层；

所述有源层与源、漏电极通过所述层间过孔连接。

进一步地，在所述有源层上后继形成层间过孔的位置形成刻蚀阻挡层，用以在刻蚀所述层间过孔时保护所述有源层之后，还包括：

在设置有刻蚀阻挡层的有源层上形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上形成栅极；

在所述栅极之上形成层间绝缘层；

刻蚀所述层间绝缘层及下方的所述栅绝缘层，形成所述层间过孔。

可选地，所述刻蚀阻挡层为金属膜层或掺杂的半导体膜层。

优选地，所述刻蚀阻挡层与所述源漏电极采用相同的材质。

可选地，所述刻蚀阻挡层为钼金属膜、铝金属膜、铜金属膜中的一种，或者，

层叠结构钛/铝/钛和层叠结构钼/铝钕/钼中的一种。

优选地，所述有源层为多晶硅有源层。

具体地，所述形成有源层，具体包括：

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

刻蚀所述多晶硅层，形成TFT的有源层；

对所述有源层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；或者，

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成非晶硅层；

将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

对所述多晶硅层的部分区域进行掺杂，形成半导体掺杂区域；

对掺杂后的多晶硅层进行刻蚀，形成TFT的多晶硅有源层。

可选地，所述刻蚀阻挡层的厚度为

另一方面，本发明还提供一种薄膜晶体管，包括：有源层，还包括：

用以在形成层间过孔时保护有源层的刻蚀阻挡层，设置在所述有源层上后继形成层间过孔的位置；

所述层间过孔用以连接所述有源层和源漏电极。

进一步地，所述的薄膜晶体管，还包括：

栅绝缘层，设置在所述有源层及所述刻蚀阻挡层上；

栅极，设置在所述栅绝缘层上；

层间绝缘层，设置在所述栅极之上；