[发明专利]一种减少炉管中颗粒的方法

权利要求书

1.一种减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，包括：

步骤一：向炉管中通入N2，利用N2带走炉管内部分或全部的颗粒物质；

步骤二：向炉管中通入Si₂H₆气体，在所述炉管中与炉管内腔连通的部件表面淀积一层止封膜。

2.根据权利要求1所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述步骤一和所述步骤二中炉管的温度与炉管淀积工艺时的温度差小于100摄氏度。

3.根据权利要求2所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述步骤一和所述步骤二中，炉管的温度控制在350～450摄氏度之间。

4.根据权利要求1所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述步骤一包括：

步骤1-1：将炉管内的气压抽真空至2mTorr～10mTorr范围；

步骤1-2：向炉管中通入N2，所述N2的流速是1slm/min～5slm/min。

5.根据权利要求4所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，在步骤一中，反复进行步骤1-1和步骤1-2，重复的次数为5-20次，每次的时间为15-25分钟。

6.根据权利要求1所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述步骤二包括：

步骤2-1：将炉管内的气压抽真空至100mTorr～1torr范围内，并进行控压，使得炉管内的气压保持在至100mTorr～1torr范围之内；

步骤2-2：向炉管中通入Si₂H₆气体，以在所述炉管中与炉管内腔连通的部件表面淀积一层止封膜。

7.根据权利要求6所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述步骤2-2中，向炉管中通入Si₂H₆气体的时间根据预淀积的止封膜的厚度来确定。

8.根据权利要求7所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述止封膜的厚度范围是0.2μm至0.5μm。

9.根据权利要求8所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述止封膜的厚度范围是0.3μm至0.4μm。

10.根据权利要求9所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述止封膜的厚度是0.35μm。

11.根据权利要求1～10中任意一项所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述炉管用于淀积MEMS器件的薄膜。

12.根据权利要求1～10中任意一项所述的减少炉管中颗粒的方法，其特征在于，所述止封膜是非晶硅薄膜。