[发明专利]一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法

权利要求书

1.一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

(1)研磨：使用规格为W1的碳化硼作为磨料在铸铁盘上对晶体进行研磨；

(2)粗抛：使用粒径为1μm的氧化铈抛光液在沥青盘上对晶体进行抛光；

(3)刻蚀：将晶体表面浸入有机溶剂中，超声处理30-60秒；

(4)化学机械抛光：使用粒径为100nm的二氧化硅抛光液在聚氨酯抛光垫上对晶体抛光10～15分钟；

(5)检测：将晶体置于有机溶剂中超声清洗30-60秒，用高倍显微镜观察晶体表面形貌；

(6)若晶体表面无划痕，则获得具有超光滑表面低亚表面损伤的晶体；若晶体表面仍有划痕，重复步骤(2)～(5)，并将步骤(2)中粒径为1μm的氧化铈抛光液换成粒径为100-300nm的氧化铈抛光液。

2.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，步骤(1)所述的研磨的具体步骤包括：将晶体周围粘贴保护片，然后用夹持工具夹持住晶体，在双轴精密精磨抛光机上使用规格为W1的碳化硼作为磨料，并配合铸铁盘对晶体进行研磨。

3.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，步骤(2)所述的粗抛的温度为19.5～20.5℃，粗抛的时间为2～3小时。

4.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，在步骤(2)中晶体抛光的过程中，将粒径为1μm的氧化铈抛光液中氧化铈的质量分数由6％逐渐降到3％。

5.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，步骤(3)或步骤(5)所述的有机溶剂为六甲基二硅烷。

6.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，步骤(3)所述的有机溶剂的温度为40～50℃。

7.根据权利要求1所述的一种获取超光滑表面低亚表面损伤晶体的方法，其特征在于，步骤(4)所述的化学机械抛光采用双轴抛光机，该双轴抛光机的主轴转速为30转/分钟，双轴抛光机的摆轴转速为12转/分钟。