[发明专利]半导体Bi2O3-Ta2O5复合纳米纤维及其制备方法和应用

权利要求书

1.半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维，其为在一维Ta₂O₅纳米线模板上长有Bi₂O₃纳米颗粒的异质结构，具有均一的结构尺寸和良好分散性，直径为80-120nm，用下述方法制得，包括有以下步骤：

1）将氢氧化钠配成浓度0.01-0.025mol/L溶液，然后向溶液中加入铋源，均匀混合；

2）将上述混合溶液加入到Ta₂O₅纳米线前驱体中，均匀混合得到混合液；

3）将混合液转入至60ml反应釜中，180-220℃反应5-18小时，得到淡黄色溶液；

4）待得到的溶液自然冷却后洗涤，并置于60℃烘箱中使其完全烘干，得到的白里透黄的粉末即为半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维。

2.根据权利要求1所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维，其特征在于步骤1）所述的铋源五水硝酸铋或氯化铋。

3.根据权利要求1或2所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维，其特征在于步骤3）所述的反应时间为5-12小时。

4.根据权利要求1或2所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维，其特征在于步骤1）和步骤2）中的铋源与Ta₂O₅纳米线前驱体摩尔比为0.5:1-3.5:1。

5.权利要求1所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维的制备方法，包括有以下步骤：

1）将氢氧化钠配成浓度0.01-0.025mol/L溶液，然后向溶液中加入铋源，均匀混合；

2）将上述混合溶液加入到Ta₂O₅纳米线前驱体中，均匀混合得到混合液；

3）将混合液转入至60ml反应釜中，180-220℃反应5-18小时，得到淡黄色溶液；

4）待得到的溶液自然冷却后洗涤，并置于60℃烘箱中使其完全烘干，得到的白里透黄的粉末即为半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维。

6.根据权利要求5所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维的制备方法，其特征在于步骤1）所述的铋源五水硝酸铋或氯化铋。

7.根据权利要求5或6所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维的制备方法，其特征在于步骤3）所述的反应时间为5-12小时。

8.根据权利要求5或6所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维的制备方法，其特征在于步骤1）和步骤2）中的铋源与Ta₂O₅纳米线前驱体摩尔比为0.5:1-3.5:1。

9.权利要求1所述的半导体Bi₂O₃-Ta₂O₅复合纳米纤维作为光降解污染物的活性材料的应用。