[发明专利]光纤在审
| 申请号: | 201310125228.9 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN103376499A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
| 发明(设计)人: | 小山田浩;井上大 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号: | G02B6/02 | 分类号: | G02B6/02;G02B6/028 |
| 代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光纤 | ||
1.一种光纤,包括:位于中心部的纤芯、与所述纤芯相邻接并覆盖其外周的低折射率层、以及与所述低折射率层相邻接并覆盖其外周的包层,其特征在于:所述纤芯的折射率高于所述包层的折射率,所述低折射率层的折射率低于所述包层的折射率,所述低折射率层的折射率从内侧向外侧降低。
2.根据权利要求1所述的光纤,其中:将所述纤芯的最大折射率设为n1,所述包层的平均折射率设为n3,则所述低折射率层的最内侧与所述纤芯之间的交界部处的折射率为n3。
3.根据权利要求1或2所述的光纤,其中:将所述纤芯的最大折射率设为n1,所述低折射率层的最低折射率设为n2,则所述低折射率层的最外侧与所述包层之间的交界部处的折射率为n2。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的光纤,其中:所述光纤以硅为主要成分,所述纤芯中掺杂有用于提高折射率的元素,所述低折射率层中掺杂有用于降低折射率的元素,所述纤芯实质上不包含用于降低折射率的元素。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的光纤,其中:所述光纤以硅为主要成分,所述纤芯中掺杂有用于提高折射率的元素,所述低折射率层中掺杂有用于降低折射率的元素,所述低折射率层实质上不包含用于提高折射率的元素。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的光纤,其中:所述光纤以硅为主要成分,所述纤芯中掺杂有用于提高折射率的元素,所述低折射率层中掺杂有用于降低折射率的元素,所述包层大体上不包含用于提高折射率的元素及用于降低折射率的元素。
7.根据权利要求4~6中任一项所述的光纤,其中:在所述低折射率层中掺杂的用于降低折射率的元素的含量从所述低折射率层的内侧向外侧增加。
8.根据权利要求4~7中任一项所述的光纤,其中:在所述低折射率层中掺杂的用于降低折射率的元素的含量,在所述低折射率层的最内侧与纤芯之间的交界部处大致为零。
9.根据权利要求4~8中任一项所述的光纤,其中:在所述低折射率层中掺杂的用于降低折射率的元素的含量,在所述低折射率层的最外侧与包层之间的交界部处为最大。
10.根据权利要求4~9中任一项所述的光纤,其中:在所述纤芯中掺杂的用于提高折射率的元素的含量,在所述纤芯的最外侧与低折射率层之间的交界部处大致为零。
11.根据权利要求4~10中任一项所述的光纤,其中:所述用于提高折射率的元素为锗。
12.根据权利要求4~11中任一项所述的光纤,其中:所述用于降低折射率的元素为氟。
13.根据权利要求1~12中任一项所述的光纤,其中:在波长1550nm处的传输损耗为0.19dB/km以下。
14.根据权利要求1~13中任一项所述的光纤,其中:在将光纤卷绕于直径为20mm的芯棒上时,在波长1550nm处的损耗增加量为0.5dB/km以下。
15.根据权利要求1~14中任一项所述的光纤,其中:在波长1383nm处的传输损耗为0.35dB/km以下。
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