[发明专利]导电键合材料、其制造方法以及电子装置的制造方法无效
| 申请号: | 201310125016.0 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN103447713A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
| 发明(设计)人: | 北岛雅之;山上高丰;久保田崇;石川邦子 | 申请(专利权)人: | 富士通株式会社 |
| 主分类号: | B23K35/26 | 分类号: | B23K35/26;B23K35/363;H05K3/34 |
| 代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 郝新慧;张浴月 |
| 地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 导电 材料 制造 方法 以及 电子 装置 | ||
1.一种导电键合材料,包括:
焊料成分,所述焊料成分包括:
第一金属的金属发泡体,具有至少一个孔隙,当所述金属发泡体在高于所述第一金属的熔点的温度下被加热时,所述孔隙吸收熔化的第一金属;以及
第二金属,具有低于所述第一金属的熔点的熔点。
2.根据权利要求1所述的导电键合材料,其中,
所述焊料成分包含所述金属发泡体的微粒和所述第二金属的微粒,或者所述焊料成分包含涂敷微粒,所述涂敷微粒为涂覆有所述第二金属的所述金属发泡体的微粒。
3.根据权利要求2所述的导电键合材料,其中,
所述第一金属的微粒(A)与所述第二金属的微粒(B)的质量比(A:B)处于20:80至50:50的范围。
4.根据权利要求1所述的导电键合材料,其中,
所述第一金属具有150°C或更大且230°C或更小的熔点,以及所述第二金属具有小于150°C的熔点。
5.根据权利要求1所述的导电键合材料,其中,
所述第一金属的所述金属发泡体是Sn-Bi-X合金微粒和Sn-Cu-X合金微粒其中之一,X从Ag、Ni、Zn、Pd以及In构成的组里选择。
6.根据权利要求1所述的导电键合材料,其中,
所述第二金属是Sn-Bi合金和Sn-Bi-Y合金其中之一,Y从Ag、Ni、Zn、Pd以及In构成的组里选择。
7.根据权利要求1所述的导电键合材料,其中,
所述焊料成分构成所述导电键合材料的以质量计的50%或更多且以质量计的95%或更少。
8.根据权利要求1所述的导电键合材料,还包括:由环氧焊剂材料和松香焊剂材料的至少一个制成的焊剂成分。
9.根据权利要求8所述的导电键合材料,其中,所述焊剂成分构成所述导电键合材料的以质量计的5%或更多且以质量计的50%或更少。
10.一种导电键合材料的制造方法,包括:
熔化第一金属;
在真空下使所熔化的第一金属发泡以形成孔隙;
冷却所熔化的第一金属以形成金属发泡体;
在真空下切割所述金属发泡体;
对所切割的金属发泡体执行滚光流化床过程以形成第一金属微粒;以及
将所述第一金属微粒与熔点低于所述第一金属微粒的熔点的第二金属组合在一起。
11.根据权利要求10所述的导电键合材料的制造方法,其中,
所述导电键合材料包含焊料成分,所述焊料成分包含所述第一金属微粒和所述第二金属的微粒,或者所述焊料成分包含涂敷微粒,所述涂敷微粒为涂覆有所述第二金属的所述第一金属微粒。
12.根据权利要求10所述的导电键合材料的制造方法,其中,
所述第一金属具有150°C或更大且230°C或更小的熔点,以及所述第二金属具有小于150°C的熔点。
13.根据权利要求10所述的导电键合材料的制造方法,其中,
所述第一金属是Sn-Bi-X合金微粒和Sn-Cu-X合金微粒其中之一,X从Ag、Ni、Zn、Pd以及In构成的组里选择。
14.根据权利要求10所述的导电键合材料的制造方法,其中,
所述第二金属是Sn-Bi合金和Sn-Bi-Y合金其中之一,Y从Ag、Ni、Zn、Pd以及In构成的组里选择。
15.根据权利要求11所述的导电键合材料的制造方法,其中,
所述焊料成分构成所述导电键合材料的以质量计的50%或更多且以质量计的95%或更少。
16.一种导电键合材料的制造方法,包括:
通过电镀法形成第一金属体;
活化所述第一金属体的表面;
氧化所活化的第一金属体,并反复研磨所氧化的第一金属体以形成具有至少一个孔隙的第一金属微粒;以及
将所述第一金属微粒与熔点低于所述第一金属微粒的熔点的第二金属组合在一起。
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