[发明专利]具有高动态范围的图像传感器像素阵列有效
| 申请号: | 201310124472.3 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN103199099B | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
| 发明(设计)人: | 陈嘉胤 | 申请(专利权)人: | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人: | 吴世华,林彦之 |
| 地址: | 201210 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 动态 范围 图像传感器 像素 阵列 | ||
1.一种图像传感器的像素阵列,其特征在于,包括多个单位像素,每个所述单位像素包括:
一个沟槽,自衬底上表面向下形成于所述衬底中;
至少一个感光二极管,形成于所述沟槽的侧壁;以及
至少一个反射镜,设置于所述沟槽底部且相对于所述沟槽底部倾斜,用以相应向所述感光二极管反射入射光;
其中所述沟槽底部为正方形,所述感光二极管成对的形成于所述沟槽相对的侧壁且每一所述单位像素的所述感光二极管为一对;相邻所述单位像素的感光二极管在所述沟槽底部的投影方向相互垂直。
2.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述感光二极管与所述沟槽侧壁相重叠的面积之和大于等于所述沟槽的底面积。
3.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,相邻所述单位像素的沟槽间的距离与所述正方形边长相同;所述感光二极管的宽度和长度以及所述沟槽的深度均与所述正方形边长相同。
4.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述反射镜的数量与所述感光二极管的数量相同。
5.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述反射镜的高度小于等于所述沟槽的深度。
6.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述沟槽自所述衬底上表面垂直向下形成于所述衬底中。
7.根据权利要求1所述的像素阵列,其特征在于,所述像素阵列还包括介质层,金属层以及微透镜,所述介质层形成于所述沟槽及所述衬底上方,所述微透镜相应设置于所述沟槽上方的所述介质层之上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





