[发明专利]半导体器件有效
| 申请号: | 201310124368.4 | 申请日: | 2013-04-11 |
| 公开(公告)号: | CN103378070A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
| 发明(设计)人: | 丸山真理子 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
| 主分类号: | H01L23/60 | 分类号: | H01L23/60;H01L23/64;H01L23/31 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其特征在于,包括:
散热底座;
载置在该散热底座上的带导电图案薄膜的绝缘基板;
具有主电极和栅极电极,载置在该带导电图案薄膜的绝缘基板上的半导体芯片;
载置于所述散热底座、覆盖所述半导体芯片的外壳;
从该外壳内部贯穿该外壳而被导出至该外壳外部,对所述主电极和所述栅极电极输入控制信号的一对第一外部导出端子和第二外部导出端子;和
具备一对第一端子和第二端子的抗静电用部件,
所述抗静电用部件设置于所述外壳内,
所述第一端子与所述第一外部导出端子电连接,所述第二端子与所述第二外部导出端子电连接。
2.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述带导电图案薄膜的绝缘基板具备第一导电图案薄膜和第二导电图案薄膜,所述半导体芯片载置在所述第一导电图案薄膜上,所述第一端子载置在所述第二导电图案薄膜上,
该第二导电图案薄膜与所述主电极和所述第一外部导出端子电连接,所述第二端子与所述栅极电极和所述第二外部导出端子电连接。
3.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述第一端子载置于所述主电极,
所述第二端子与所述栅极电极电连接,所述主电极与所述第一外部导出端子电连接,所述第二端子或所述栅极电极与所述第二外部导出端子电连接。
4.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述第一端子载置于所述栅极电极,
所述主电极与所述第二端子和所述第一外部导出端子电连接,所述栅极电极与所述第二外部导出端子电连接。
5.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述第一端子载置于所述栅极电极,所述第二端子载置于所述主电极,
所述栅极电极与所述第二外部导出端子电连接,所述主电极与所述第一外部导出端子电连接。
6.如权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:
所述抗静电用部件设置于构成所述外壳的部件的内部,
所述第一端子与所述第一外部导出端子在构成所述外壳的部件的内部电连接,所述第二端子与所述第二外部导出端子在构成所述外壳的部件的内部电连接。
7.如权利要求1~6中任一项所述的半导体器件,其特征在于:
所述抗静电用部件为电阻体。
8.如权利要求7所述的半导体器件,其特征在于:
所述电阻体为表面安装用的片式电阻器。
9.如权利要求7或8所述的半导体器件,其特征在于:
所述电阻体的电阻值为5kΩ以上、500kΩ以下。
10.如权利要求7或8所述的半导体器件,其特征在于:
所述电阻体的电阻值为10kΩ以上、100kΩ以下。
11.如权利要求1~10中任一项所述的半导体器件,其特征在于:
构成所述外壳的部件为树脂。
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