[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管显示技术领域，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和低辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。

氧化物薄膜晶体管（Oxide Thin Film Transistor，简称OTFT）具有超薄、重量轻、低耗电等优势，不仅可以用于制造液晶显示面板，而且为新一代有机发光显示面板的有机发光二极管（Organic Light-Emitting Diode，简称OLED）的应用提供了可能，该有机发光二极管较现有的薄膜晶体管，其色彩更艳丽并且影像更清晰。

现有的阵列基板制备工艺为，在衬底基板上溅射形成栅电极，沉积栅绝缘层，沉积有源层，溅射源/漏电极，沉积钝化层，溅射像素电极。

现有技术存在的缺陷在于，采用铜或铜合金制作的栅电极和源/漏电极，由于铜较活泼，容易扩散进入有源层，因此，铜易污染有源层，从而影响了载流子的迁移率，最终导致产品缺陷。

发明内容

本发明的目的是提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板和显示装置，用以避免铜扩散对有源层的污染，提高产品的良率。

本发明薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅电极、有源层和源/漏电极，以及位于所述栅电极和有源层之间的栅绝缘层，其中：

所述栅电极包括栅电极金属层和第一组保护层，所述第一组保护层位于栅电极金属层和栅绝缘层之间，将所述有源层和所述栅电极金属层隔离；

所述栅电极金属层的材质为铜或铜合金。

优选的，所栅电极还包括第二组保护层，位于栅电极金属层背离第一组保护层的一侧；

所述第二组保护层包括第一栅保护层和第二栅保护层，所述第二栅保护层位于第一栅保护层和栅电极金属层之间。

较佳的，所述第一栅保护层的材质为氮化硅或氮化钛；和/或

所述第二栅保护层的材质为钼钛合金、钼钨合金、钼锆合金、钼铌合金、钼铜合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼铪合金、钼铑合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铝合金、钼锰合金、硅化钛、硅化钨、硅化锆、硅化铌、硅化铜、硅化钒、硅化钽、硅化镍、硅化铬、硅化铪、硅化铑、硅化钴、硅化钯、硅化铂、硅化铝或硅化锰。

优选的，所述第一组保护层包括第三栅保护层和第四栅保护层，所述第三栅保护层位于栅电极金属层和第四栅保护层之间。

较佳的，所述第三栅保护层的材质为钼铝铌合金、钼钨合金、钼锆合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铪合金、钼铑合金、钼锰合金、硅化钼或钼钛合金；和/或

所述第四栅保护层的材质为氮化钼、氮硅化钼、氮化铝钼、氮化铜钼、氮化钨钼、氮化锆钼、氮化铪钼、氮化铑钼、氮化钒钼、氮化钽钼、氮化镍钼、氮化铬钼、氮化钴钼、氮化钯钼、氮化铂钼、氮化锰钼、氮化钛钼、氯硅化钼、氯化铝钼、氯化铜钼、氯化钨钼、氯化锆钼、氯化铪钼、氯化铑钼、氯化钒钼、氯化钽钼、氯化镍钼、氯化铬钼、氯化钴钼、氯化钯钼、氯化铂钼、氯化锰钼、氯化钛钼、磷硅化钼、磷化铝钼、磷化铜钼、磷化钨钼、磷化锆钼、磷化铪钼、磷化铑钼、磷化钒钼、磷化钽钼、磷化镍钼、磷化铬钼、磷化钴钼、磷化钯钼、磷化铂钼、磷化锰钼或磷化钛钼。

优选的，所述薄膜晶体管的源/漏电极包括源/漏电极金属层和第二源/漏保护层，所述第二源/漏保护层位于源/漏电极金属层和有源层之间，将源/漏电极金属层和有源层隔离；

所述源/漏电极金属层的材质为铜或铜合金。

优选的，所述第二源/漏保护层的材质为钼钛合金、钼钨合金、钼锆合金、钼铌合金、钼铜合金、钼钒合金、钼钽合金、钼镍合金、钼铬合金、钼铪合金、钼铑合金、钼钴合金、钼钯合金、钼铂合金、钼铝合金、钼锰合金、硅化钛、硅化钨、硅化锆、硅化铌、硅化铜、硅化钒、硅化钽、硅化镍、硅化铬、硅化铪、硅化铑、硅化钴、硅化钯、硅化铂、硅化铝或硅化锰。

优选的，所述源/漏电极还包括第三组保护层，位于源/漏电极金属层背离第二源/漏保护层的一侧；

所述第三组保护层包括第三源/漏保护层和第四源/漏保护层，所述第三源/漏保护层位于源/漏电极金属层和第四源/漏保护层之间。