[发明专利]一种量子点发光二极管显示器件及显示装置有效
| 申请号: | 201310121299.1 | 申请日: | 2013-04-09 |
| 公开(公告)号: | CN103227189A | 公开(公告)日: | 2013-07-31 |
| 发明(设计)人: | 杨明;陈希;蔡佩芝 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
| 地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 量子 发光二极管 显示 器件 显示装置 | ||
1.一种量子点发光二极管显示器件,所述显示器件内设置有多个像素单元,每个所述像素单元均具有多个显示不同颜色的亚像素单元,其特征在于,所述显示器件包括:
衬底基板;
设置于所述衬底基板上、且位于各像素单元的亚像素单元的电致发光结构;
设置于各像素单元的至少一个颜色的亚像素单元、且位于所述电致发光结构的出光侧的单色量子点层,所述单色量子点层在受到所述电致发光结构发出的光激发后发射对应所述亚像素单元颜色的单色光。
2.如权利要求1所述的显示器件,其特征在于,所述电致发光结构包括:依次设置在所述衬底基板上的第一电极,发光层以及第二电极。
3.如权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述第二电极所在的一侧为所述电致发光结构的出光侧,所述单色量子点层位于所述第二电极之上。
4.如权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述第一电极所在的一侧为所述电致发光结构的出光侧,所述单色量子点层位于所述第一电极与所述衬底基板之间。
5.如权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述发光层的材料为发射蓝光的材料;
每个所述像素单元均具有显示N个颜色的亚像素单元,其中N-1个颜色的亚像素单元分别设置有所述单色量子点层,N为大于等于2的正整数。
6.如权利要求2所述的显示器件,其特征在于,所述发光层的材料为发射紫外光的材料;
每个所述像素单元的多个亚像素单元均设置有所述单色量子点层。
7.如权利要求1-6任一项所述的显示器件,其特征在于,还包括:设置于各亚像素单元的出光侧,且对应各亚像素单元颜色的彩色滤光层,所述彩色滤光层与所述单色量子点层相互绝缘。
8.如权利要求1-6任一项所述的显示器件,其特征在于,各所述单色量子点层在受到所述电致发光结构发出的光激发后发射红光、绿光、黄光、橙光或青光。
9.如权利要求1-6任一项所述的显示器件,其特征在于,所述电致发光结构为有源驱动。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~9中任一项所述的量子点发光二极管显示器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





