[发明专利]保护二极管有效
| 申请号： | 201310120769.2 | 申请日： | 2013-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN103367402A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 藤田光一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/36 | 分类号： | H01L29/36;H01L27/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;王忠忠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 保护 二极管 | ||
1. 一种保护二极管，其特征在于，具备：
半导体衬底；
第1导电型的阱层，设在所述半导体衬底上；
第2导电型的栅极侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述阱层接合；
第2导电型的接地侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧扩散层分离，与所述阱层接合；
栅极侧电极，连接在晶体管的栅极与所述栅极侧扩散层之间；以及
接地电极，与所述接地侧扩散层连接，
所述接地侧扩散层的杂质浓度比所述栅极侧扩散层更低。
2. 一种保护二极管，其特征在于，具备：
半导体衬底；
第1导电型的阱层，设在所述半导体衬底上；
第2导电型的栅极侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述阱层接合；
第2导电型的接地侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧扩散层分离，与所述阱层接合；
栅极侧电极，连接在晶体管的栅极与所述栅极侧扩散层之间；
接地电极，与所述接地侧扩散层连接；以及
绝缘膜，设在所述阱层和所述接地侧扩散层上，
所述接地电极经由所述绝缘膜而延伸至所述阱层上。
3. 如权利要求1所述的保护二极管，其特征在于，还具备：
虚设栅极电极，经由栅极绝缘膜而设在所述阱层上；
侧壁，设在所述虚设栅极电极的侧壁；以及
第2导电型的扩散层，设在所述侧壁的正下方，具有比所述接地侧扩散层更低的杂质浓度。
4. 一种保护二极管，其特征在于，具备：
半导体衬底；
第1导电型的栅极侧阱层，设在所述半导体衬底上；
第1导电型的接地侧阱层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧阱层相接；
第2导电型的栅极侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧阱层接合；
第2导电型的接地侧扩散层，设在所述半导体衬底上，与所述栅极侧扩散层分离，与所述接地侧阱层接合；
栅极侧电极，连接在晶体管的栅极与所述栅极侧扩散层之间；以及
接地电极，与所述接地侧扩散层连接，
所述接地侧阱层的杂质浓度比所述栅极侧阱层更低。
5. 如权利要求4所述的保护二极管，其特征在于，
还具备设在所述阱层和所述接地侧扩散层上的绝缘膜，
所述接地电极经由所述绝缘膜而延伸至所述阱层上。
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