[发明专利]导电薄膜、其制备方法及应用

权利要求书

1.一种导电薄膜，其特征在于，包括层叠的ZITO层及Pr₂O₃层。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为50nm～400nm。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜，其特征在于，所述ZITO层的厚度为5nm～60nm，所述Pr₂O₃层的厚度为0.5nm～5nm。

4.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZITO靶材及Pr₂O₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；

在所述衬底表面溅镀ZITO层，溅镀所述ZITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ZITO层表面溅镀Pr₂O₃层，溅镀所述Pr₂O₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；及

剥离所述衬底，得到所述导电薄膜。

5.根据权利要求4所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，所述ZITO靶材由以下步骤得到：将ZnO，In₂O₃和SnO₂粉体按照摩尔比为（0.1～10）：（70～98）：（0.5～20）混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

6.一种有机电致发光器件的基底，其特征在于，包括依次层叠的衬底、ZITO层及Pr₂O₃层。

7.根据权利要求6所述的有机电致发光器件的基底，其特征在于，所述基底中的导电薄膜是纳米线结构的导电薄膜，所述纳米线直径为50nm～400nm。

8.一种有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将ZITO靶材及Pr₂O₃靶材及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，其中，真空腔体的真空度为1.0×10^-5Pa～1.0×10^-3Pa；

在所述衬底表面溅镀ZITO层，溅镀所述ZITO层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃；

在所述ZITO层表面溅镀Pr₂O₃层，溅镀所述Pr₂O₃层的工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，激光的能量为80W～300W，压强为3Pa～30Pa，通入惰性气体，惰性气体的流量为10sccm～40sccm，衬底温度为250℃～750℃。

9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的基底的制备方法，其特征在于，所述ZITO靶材由以下步骤得到：将ZnO，In₂O₃和SnO₂粉体按照摩尔比为（0.1～10）：（70～98）：（0.5～20）混合均匀，将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结制成靶材。

10.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极、发光层以及阴极，其特征在于，所述阳极包括层叠的ZITO层及Pr₂O₃层。