[发明专利]锑化铟红外探测器脱水处理方法有效
申请号: | 201310120400.1 | 申请日: | 2013-04-09 |
公开(公告)号: | CN103219424A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 亢喆;邱国臣;肖钰 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人: | 田卫平 |
地址: | 100015*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 锑化铟 红外探测器 脱水 处理 方法 | ||
1.一种锑化铟红外探测器脱水处理方法,其特征在于,包括:
对台面腐蚀之后的锑化铟红外探测器进行清洗处理;
将清洗之后的所述锑化铟红外探测器放入甲醇中进行脱水处理;
将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器放在臭氧氧化设备内,进行干燥处理和臭氧氧化处理。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,进行清洗处理具体包括:
使用电阻率大于12MΩ的去离子水对所述锑化铟红外探测器进行清洗,冲洗时间为30-60分钟。
3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,进行脱水处理具体包括:
将预处理后的所述锑化铟红外探测器浸没在甲醇溶液中进行脱水处理,时间为1-3分钟,并重复多次。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,在干燥处理之前进一步包括:
使用氮气将脱水处理后的所述锑化铟红外探测器表面的甲醇吹散至所述锑化铟红外探测器的外围。
5.根据权利要求1、2或4所述的方法,其特征在于,所述干燥处理的温度和所述臭氧氧化的温度均为70-120摄氏度,所述臭氧氧化时间为20-40分钟。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述干燥处理的温度为80-100摄氏度。
7.根据权利要求1、2或4所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化处理的步骤具体包括:
打开所述臭氧氧化设备内的氧气和紫外线灯,使所述锑化铟红外探测器在加热和臭氧条件下进行氧化。
8.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化的温度为80-100度。
9.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化时间为30分钟。
10.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述臭氧氧化处理的步骤之后,进一步包括:
将臭氧氧化后的所述锑化铟红外探测器进行钝化处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的