[发明专利]一种制备钨通孔的方法

权利要求书

1.一种制备钨通孔的方法，其特征在于，包括以下步骤：

于一半导体结构上沉积一氮化物膜，所述氮化物膜覆盖所述半导体结构的上表面；

依次采用光刻、刻蚀工艺，回蚀所述氮化物膜至所述半导体结构中，于剩余的氮化物膜和剩余的半导体结构中形成多个通孔；

制备粘着层和钨金属层充满所述通孔，并覆盖所述剩余的氮化物膜；

继续研磨工艺，部分去除所述粘着层、钨金属层和所述剩余的氮化物膜；

去除残余的氮化物膜，形成多个钨栓。

2.根据权利要求1所述的制备钨通孔的方法，其特征在于，所述氮化物膜的材质为氮化硅。

3.根据权利要求1所述的制备钨通孔的方法，其特征在于，还包括：

形成所述多个通孔后，沉积金属扩散阻挡层覆盖剩余的氮化物膜的上表面和所述通孔的底部及其侧壁；

去除位于所述剩余的氮化物膜的上表面的氮化物膜，于所述通孔中形成所述粘着层；

其中，所述金属扩散阻挡层部分填充所述通孔。

4.根据权利要求1所述的制备钨通孔的方法，其特征在于，采用高选择比湿法刻蚀工艺去除所述残余的氮化物膜。

5.根据权利要求1所述的制备钨通孔的方法，其特征在于，采用高选择比的研磨工艺部分去除所述钨金属层。