[发明专利]具有低寄生BJT增益和稳定阈值电压的横向绝缘栅极双极型晶体管结构

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

半导体衬底，具有绝缘体层和位于所述绝缘体层上方的硅层；以及

晶体管区域，位于所述半导体衬底上方，所述晶体管区域包括：

漂移区域，具有第一导电类型并位于所述绝缘体层上方；

第一阱区域，位于所述漂移区域中并具有所述第一导电类型；

第二阱区域，位于所述漂移区域中并具有第二导电类型，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；

第一绝缘结构，位于所述第一阱区域和所述第二阱区域之间的所述漂移区域上方并且部分地嵌入所述漂移区域；

第二绝缘结构，位于所述第二阱区域上方并且部分地嵌入所述第二阱区域；

栅极结构，位于所述第一绝缘结构上方并且部分地位于所述第二阱区域上方；

漏极区域，位于所述第一阱区域中；

源极区域，位于所述第二绝缘结构和所述栅极结构之间的所述第二阱区域中，所述源极区域包括具有所述第二导电类型的第一源极区域和具有所述第一导电类型的第二源极区域，所述第二源极区域部分地设置在所述栅极结构的一部分之下；和

第三阱区域，位于所述第二阱区域内并设置在所述源极区域的下方，所述第三阱区域以高于所述第二阱区域的剂量具有所述第二导电类型并且不被设置在所述栅极结构的下方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电类型是n型，并且所述第二源极区域与所述SOI衬底上的低压晶体管区域中的轻掺杂漏极(LDD)区域相比具有更高的n型掺杂物浓度。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一阱区域包括位于所述第二源极区域之下的低阻抗区域。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，从上往下看时，所述第二阱区域、所述第一绝缘结构、所述第二绝缘结构、所述栅极结构和所述源极结构中的每一个都具有弯曲形状。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二源极区域部分地设置在栅极隔离件的下方。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体衬底为p型，或者所述半导体衬底为n型。

7.一种制造晶体管的方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底具有第一导电类型的衬底、绝缘层和具有第二导电类型的硅层；

在所述硅层中掺杂具有所述第二导电类型的第一阱区域；

在所述硅层中掺杂具有所述第一导电类型的第二阱区域和第三阱区域，所述第二阱区域和所述第三阱区域具有不同的峰值掺杂物浓度，并且所述第一阱区域、所述第二阱区域和所述第三阱区域彼此不重叠；

在所述第一阱区域和所述第三阱区域之间的所述第二阱区域之中和上方热生长第一绝缘层并且在所述第三阱区域中热生长第二绝缘层；

在所述衬底上形成栅极堆叠件，所述栅极堆叠件具有覆盖所述第一绝缘层的第一部分、覆盖所述第三阱区域的一部分的第二部分；

在所述第三阱区域中形成第一源极区域，所述第一源极区域具有所述第二导电类型；

形成围绕所述栅极堆叠件的栅极隔离件；

在所述第二绝缘层和所述栅极隔离件之间的所述第三阱区域中掺杂第四阱区域，所述第四阱区域具有所述第一导电类型；

在所述第四阱区域的一部分上方形成第二源极区域；以及

在所述第一阱区域中形成漏极区域。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一导电类型是p型，并且在所述第三阱区域中形成所述第一源极区域包括：

在形成所述栅极隔离件之前，注入具有所述第二导电类型的轻掺杂源极(LDS)区域；以及

在形成所述栅极隔离件之后，以锐角将n型掺杂物注入所述栅极隔离件下方的所述第三阱中。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一导电类型是p型，并且在所述第三阱中形成所述第一源极区域包括：

在形成所述栅极隔离件之后，以垂直角度以比形成所述LDS区域的注入更高的剂量向所述LDS区域注入n型掺杂物。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一导电类型是p型，并且在所述第三阱区域中形成所述第一源极区域包括：

在形成所述栅极隔离件之前，使用n型掺杂物以比所述半导体衬底上的低压晶体管区域中的轻掺杂漏极(LDD)区域更高的掺杂浓度注入所述第一源极区域。