[发明专利]用于制备通式R(4-m-n)AClmHn,特别是硅烷的化合物或高纯化合物的方法和装置无效

专利信息
申请号: 201310116965.2 申请日: 2007-04-10
公开(公告)号: CN103272637A 公开(公告)日: 2013-09-04
发明(设计)人: P.阿德勒;K.博姆汉默尔;H.J.霍恩;J.卡斯尼茨;S.科瑟;J.E.朗;R.马特赫斯;J.蒙凯维奇;R.尼科莱;T.波普肯;H.-P.波普;H.劳尔德;I.罗弗;G.罗沃;R.肖尔克;J.舒勒;R.索南谢恩;H.-J.瓦伦西克 申请(专利权)人: 赢创德固赛有限责任公司
主分类号: B01J31/02 分类号: B01J31/02;C07F7/12
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘维升;林森
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 用于 制备 通式 sub acl 特别是 硅烷 化合物 高纯 方法 装置
【权利要求书】:

1.具有如下通式的催化剂,

(CxH2x+1O)3Si(CH2)zN(CyH2y+1)2

其中x=1至4;y=1至10;z=1至3,特别用于由三氯硅烷通过歧化作用形成四氯硅烷、二氯硅烷、一氯硅烷和/或甲硅烷。

2.具有通式(CxH2x+1O)3Si(CH2)zN(CyH2y+1)2且其中x=1至4;y=1至10;z=1至3的催化剂在下述方法中的用途:

一种制备具有通式Ia的化合物的方法,该方法涉及硅烷,并且通过转化或处理至少一种具有通式IIa的化合物而实施,

(Ia)R(4-m-n)SiClmHn

(IIa)R(4-p-q)SiClpHq

其中,R为具有1至8个C原子的烃基,

式Ia中n=1,2,3或4且m=0,1,2或3,且总和n+m=4,和高度氯化的式IIa的硅烷化合物,式IIa中p=0,1,2,3或4且q=0,1,2,3或4,并且总和p+q=4,或者

式Ia中n=1且m=3并且在式IIa中p=4且q=0,或者

式Ia中n=1或2且m=1或2并且m≠3,而在式IIa中p=1,2或3且q=0。。

3.具有通式(CxH2x+1O)3Si(CH2)zN(CyH2y+1)2且其中x=1至4;y=1至10;z=1至3的催化剂用于下列装置中的用途:

制备权利要求2中定义的硅烷的装置,通过在催化剂存在条件下歧化至少一种高度氯化的式IIa的且在式IIa中q+p=4且p=0,1,2,3或4和q=0,1,2,3或4的硅烷,制得具有通式Ia R(4-m-n)SiClmHn且其中m+n=4和其中n=1,2,3或4且m=0,1,2或3、即式Ia为HnSiCl4-n的硅烷;其中,所述装置基于至少一个带有塔底(图1:1.1)和塔顶(图1:1.2)的蒸馏塔(图1:1)、至少一个带有催化剂床(图1:3)的旁路反应器(图1:2)、至少一个进料口(图1:1.3)、产物出口(图1:1.4)和至少另一产物出口(图1:1.5或1.8),其中,在前面所述的装置中,蒸馏塔(图1:1)上构造有至少一个塔板(图1:4)并且至少一个经由至少三个管道(图1:5,6,7)与蒸馏塔(图1:1)相连的旁路反应器(图1:2),并且连接方式使得蒸馏塔(图1:1)中用于使冷凝物从塔板(图1:4,4.1)流出的管(图1:5)的过渡区域高于催化剂床(图1:3,3.1或3.2)的上边沿,用于使液相从旁路反应器(2)中排出的管(图1:6)在塔板(图1:4)以下衔接入蒸馏塔(图1:1)中(图1:6.1)并且这种衔接(图1:6,6.1)要比催化剂床(图1:3,3.1或3.2)的上边沿更低,以及用于使气相从附属的旁路反应器(图1:2)中排出的管(图1:7)在塔板(图1:4)的平面(图1:4.1)上方衔接入蒸馏塔(图1:1)中(图1:7.1)。

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