[发明专利]X射线管的电子发射体和具有这种电子发射体的X射线管

说明书

技术领域

本发明涉及一种用于X射线管的电子发射体，该电子发射体由扁平的、通电的用于热电子发射的导体构成。本发明还涉及一种具有这种电子发射体的X射线管。

背景技术

为了在X射线管中热电子发射例如从DE2727907C2中已知使用所谓的扁平发射器，该扁平发射器由交替地设有彼此对置侧交替引入的凹口的、高熔点材料制成的板条组成，因此，以这种方式形成的通电带状导线具有回形的结构。这种从现有技术中已知的电子发射体部在图1和2中以俯视图或纵剖面的形式表示。引入一般由钨W组成的厚度d的薄板条2中的凹口或缺口4在此是矩形的并且宽度a约为十微米至几百微米。缺口4之间的距离在此设计为，与通过缺口形成的带状导线6的材料、厚度d和宽度b有关的电阻足够高以便通过在预定电压下流动的电流这样地提高温度，使得发生热电子发射。

但这种电子发射体通过加热和冷却阶段热负荷高，因此它在较短的寿命之后必须更换。

发明内容

因此，本发明所要解决的技术问题是，提供一种用于X射线管的电子发射器，该电子发射器由扁平的用于热电子发射的通电导体构成，该导体的寿命提高并且必须与之相应地更少地更换。此外，本发明所要解决的技术问题是提供一种具有这种电子发射体的X射线管。

就电子发射体而言，本发明的技术问题通过一种用于X射线管的电子发射体解决。按本发明，电子发射器包括扁平的通电导体，该导体具有V形的曲折结构。换句话说，引入带状导线的缺口或凹口具有V形结构，并且朝用于制造该导体的板条的边缘扩宽。

通过该结构可以在相同的外部尺寸时产生自由电子的粒子流，在实践中该粒子流与由现有技术已知的电子发射体产生的粒子流一样大，其中，同时明显提高了寿命。

本发明在此基于如下认识，由于在曲折相邻的带状导线中取决于在加热或冷却时获得的长度延长或缩短会形成短路，所以导致由现有技术已知的电子发射体寿命短。通过按本发明提供的V形缺口形成在带状导线之间朝侧边缘越来越大的距离或间隙，该距离或间隙明显降低出现在外边缘上的带状导线之间短路的风险。此处在实践中，当直至边缘少许扩宽几十微米，并且其他尺寸保持相同时已获得提高九倍的寿命。此外显示出，在实践中电子的发射断面不受该V形的曲折结构影响，因为凹口的边缘区域在实践中不会有助于电流输送并因此电子发射。

在本申请中使用的概念“V形”在此理解为与“V”相似的结构。因此“V”臂不必直线延伸，也不必在顶点中重合。主要特征是，缺口朝侧边缘扩宽。

附图说明

本发明上述的特性、特征和优点以及如何实现它们的方式和方法结合结合下列实施例与附图相关的说明更清楚和明确。

对于本发明其他的说明参照附图描述的实施例。附图中：

图1和图2是现有技术中已知的电子发射器的局部俯视图和纵截面。

图3是按本发明的X射线管的原理图，

图4和图5是按本发明的电子发射体简略的局部俯视图和纵截面。

具体实施方式

按图3，X射线管10包括壳体12，在该壳体12中设有彼此对置的阳极14和电子发射体16。在阳极14与电子发射体16之间存在一个高压，通过该高压使从电子发射体中射出的电子朝阳极14加速并且在该X射线中产生γ射线，此γ射线通过位于壳体12中的窗口18排出。

图4和图5示出按本发明的X射线发射器的放大图。X射线发射器包括扁平的、通电的导体20，该导体的带状导线22具有V形的曲折结构。该曲折结构通过V形的凹口或缺口24产生，该凹口或缺口24起始于边缘26通过用激光或线切割微加工引入板条中并且朝板条的边缘26扩宽。缺口24与之相应地这样成型，使得其在边缘26上的宽度a1大于在缺口内部基底上的宽度。例如，a1与a2之间的差为几十微米。带状导线22相邻的臂28在此通过直线地在臂28之间延伸的基底30相互连接。在图4和5所示的优选的实施形式中，还提供V形缺口24直线延伸的臂和带状导线22的臂28直线延伸的侧边。

在该图的实施例中，还设有两个并排布置的这样的带状导线22，该带状导线22同样可以通过微加工由唯一一个板条制成。

虽然详细地通过优选的实施例进一步说明并且描述了本发明，但本发明并不局限于公开的实施例，并且本领域技术人员可以从中推导出其他的变型，只要不超出本发明的保护范围即可。