[发明专利]显示装置无效
申请号: | 201310116559.6 | 申请日: | 2013-03-28 |
公开(公告)号: | CN103576375A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 梁广恒;陈家弘;杨旋圣 | 申请(专利权)人: | 元太科技工业股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1335 | 分类号: | G02F1/1335 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,其特征在于其包括:
主动元件阵列基板;
对向基板,相对于该主动元件阵列基板,该对向基板包括:
第一基底;以及
遮光结构,配置于该第一基底上且位于该第一基底与该主动元件阵列基板之间,该遮光结构具有由该第一基底向该主动元件阵列基板依序堆栈的第一介电层、第二介电层、第三介电层、金属层、第四介电层、第五介电层、第六介电层,其中该第一介电层、该第二介电层、该第三介电层的厚度彼此不同,且该第四介电层、该第五介电层、该第六介电层的厚度彼此不同;以及
显示介质,配置于该主动元件阵列基板与该对向基板之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第一介电层与该第三介电层的折射率相同,而该第二介电层与该第一介电层以及该第三介电层的折射率不同。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于该第一介电层与该第三介电层的折射率小于该第二介电层的折射率。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其特征在于该第一介电层与该第三介电层的折射率大于该第二介电层的折射率。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第一介电层的厚度为D1,该第二介电层的厚度为D2,该第三介电层的厚度为D3,其中D1介于100埃至500埃,D2介于500埃至1000埃,D3介于800埃至1200埃。
6.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第四介电层与该第六介电层的折射率相同,而该第五介电层与该第四介电层以及该第六介电层的折射率不同。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于该第四介电层与该第六介电层的折射率小于该第五介电层的折射率。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其特征在于该第四介电层与该第六介电层的折射率大于该第五介电层的折射率。
9.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第四介电层的厚度为D4,该第五介电层的厚度为D5,该第六介电层的厚度为D6,其中D6介于100埃至500埃,D5介于500埃至1000埃,D4介于800埃至1200埃。
10.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第一介电层、该第二介电层、该第三介电层以该金属层为镜面与该第六介电层、该第五介电层、该第四介电层呈镜面对称。
11.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该第一介电层与该第六介电层的折射率及厚度相同,该第二介电层与该第五介电层的折射率及厚度相同,而该第三介电层与该第四介电层的折射率及厚度相同。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该主动元件阵列基板包括:第二基底、多个主动元件以及多个像素电极,所述主动元件以及所述像素电极阵列排列于该第二基底上且位于该第二基底与该显示介质之间,所述主动元件与所述像素电极电性连接,其中该遮光结构遮蔽所述主动元件而暴露出所述像素电极。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该对向基板还包括:共享电极层,配置于该显示介质与该遮光结构之间。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该对向基板还包括:彩色滤光层,配置于该显示介质与该遮光结构之间以及该显示介质与该第一基底之间。
15.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于其还包括:背光源,配置于该主动元件基板旁且适于发出光束,该光束由该主动元件基板朝向该对向基板传递。
16.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于该金属层的材质为非透明金属。
17.根据权利要求15所述的显示装置,其特征在于该遮光结构对于该光束中可见光波段的反射率小于5%。
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