[发明专利]集成电路的电路性能最佳化方法有效
申请号: | 201310116486.0 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN103268369A | 公开(公告)日: | 2013-08-28 |
发明(设计)人: | 郑英周;欧宗桦;许志玮;蔡正隆;刘如淦;黄文俊;罗博仁 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | G06F17/50 | 分类号: | G06F17/50 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 电路 性能 最佳 方法 | ||
1.一种集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供多个测试图案;
收集该些测试图案的热资料;
根据该热资料建构一热模型;以及
使用该热模型,将多个热虚拟特征加入至一集成电路设计。
2.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计更包含:
使用该热模型来模拟该集成电路设计的一热效应;以及
根据该热效应的模拟来模拟该集成电路设计的一电气性能。
3.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其中每一该些测试图案包含多个线特征或一个别的作用比,其中该些线特征具有个别的线宽、线的间距、及线密度。
4.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其中提供该些测试图案包含制造多个测试图案在至少一晶圆上;以及收集该些测试图案的热资料包含从该至少一晶圆上收集该热资料,其中该些测试图案包含浅沟渠隔离特征。
5.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其中收集该些测试图案的热资料包含:根据选自于由一急骤退火工艺、一快速热退火工艺、及一激光尖峰退火工艺所组成的一群组的一热退火工艺,模拟该测试图案。
6.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其中根据该热资料建构该热模型包含产生一查询表,且将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计包含使用该查询表加入该些热虚拟特征。
7.根据权利要求1所述的集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其中将该些热虚拟特征加入至该集成电路设计包含使用该热模型确认该集成电路设计上的一热弱点,并将热虚拟置入应用至该集成电路设计的该热弱点。
8.一种集成电路的电路性能最佳化方法,其特征在于其包括以下步骤:
提供多个测试图案;
收集该些测试图案的热资料;
根据该热资料建构一热模型;
简化该热模型成一查询表;
评估一集成电路设计的热效应;
使用该查询表,将多个热虚拟特征加入至该集成电路设计;以及
在此之后,根据该集成电路设计制造一遮罩。
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