[发明专利]电性测量装置和电性测量方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种电性测量装置和电性测量方法。

背景技术

透过晶圆封装方式对光学组件进行加工制造的技术称为Wafer Level Optics技术；所述光学组件，如自动对焦组件以及光学防手震组件，在提供其所需的能量/功率之后，能够产生其应有的光学表现。因此在使用、组装或整合该类光学组件前，确定其电性（电流、电压、电阻、电容与电感等表现）是否符合规格是非常重要的一个步骤。

现有的电性量测方法之一是于组件的四个接点上焊锡球，但由于组件皆有耐温上限，过程中让锡融化的高温可能会影响组件组件本身的结构，造成额外的问题；现有的电性量测方法之二是施加导电银胶于接点上，虽然透过导电银胶的方法能够避免高温影响组件的问题，但银胶与锡都无法于量测之后轻易的除去，皆有可能在接点表面留下残留物。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种不影响组件本身结构，且于量测后不会在接触部表面留下残留物的电性量测装置和电性测量方法。

一种电性测量装置，用于测量一光学组件的电性，所述电性为电流、电压、电阻、电容与电感中的至少一种。所述光学组件包括多个侧壁以及多个接触部，每个所述接触部分别形成于两个相邻的所述侧壁之间。所述电性测量装置包括多个导电部、多个定位治具以及一测量仪表。所述多个定位治具用于与所述多个导电部分别相抵接，使得所述导电部与所述接触部紧密接触。所述测量仪表用于与任意两个所述导电部电性连接，并通过所述导电部测量所述光学组件的电性。

一种使用如上所述的电性测量装置的电性测量方法，包括以下步骤：

所述定位治具将多个所述导电部分别与多个所述接触部紧密接触，使多个所述导电部对应与所述光学组件的接触部电性连接，其中，所述光学组件包括多个侧壁以及多个接触部，每个所述接触部位于所述侧壁上；

将任意两个所述导电部电性连接所述测量仪表，通过所述测量仪表的示数以及所述导电部的电阻计算出所述光学组件的电性。

与现有技术相比较，本发明提供的电性测量装置和测量方法通过定位治具压缩导电部，使得导电部与接触部紧密接触，再连接一测量仪表，从而实现了对光学组件电性的测量，本发明提供的电性测量装置不仅不影响组件本身结构，且于测量后不会再接触部表面留下残留物。

附图说明

图1是本发明提供的电性测量装置的立体示意图。

图2是本发明提供的电性测量装置的分解示意图。

图3是使用如图1所示的电性测量装置的电性测量方法的流程图。

主要元件符号说明

电性测量装置100导电部10定位治具20收容槽21测量仪表30光学组件200侧壁210接触部211

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

下面结合附图将对本发明实施方式作进一步的详细说明。