[发明专利]纳米半导电无纺布及其加工工艺

权利要求书

1.纳米半导电无纺布，其特征在于，包括由导电碳纤维短纤交织而成的纤维网；纤维网纵向平行设置加强碳纤维涤纶纱；纤维网表面凃设导电液。

2.根据权利要求1所述的纳米半导电无纺布，其特征在于，所述纤维网：克重在10g/㎡—70g/㎡。

3.根据权利要求1所述的纳米半导电无纺布，其特征在于，所述加强碳纤维涤纶纱：粗细30dtex—50dtex，纱之间间距在2mm—5mm之间。

4.纳米半导电无纺布加工工艺，其特征在于，按以下工艺步骤进行：

1）运用新型导电碳纤维涤纶短纤新材料：经过无纺布梳理成网工艺：纤维短纤粗开松→大仓混棉→精开松→气压棉箱→梳理机→铺网机，形成厚薄均匀的一层纤维海绵，克重在10g/㎡—70g/㎡；

2）高强度纱纵向直线铺网工艺：将加强碳纤维涤纶纱纵向平行设置在纤维网上；

3）导电液配制工艺：运用质量浓度为10%—15%纳米中空碳管、质量浓度为12%—15%丙烯酸乳液、质量浓度为2%—3%平平加及质量浓度为1%—2%分散剂、其余为水；将各成分混合均匀后置于搅拌机内高速搅拌，搅拌速度在1300转/分以上；

4）发泡浸涂工艺：

将上述制成的导电液在经过真空发泡机，制成泡沫状导电液；让纤维网均匀浸渍于泡沫状导电液中，经挤压，使浸渍挤压后克重控制在60 g /㎡-500g/㎡；

5）真空烘干技术：

在真空环境中进行快速高温烘干，使水分蒸发运行速度在13米/分—20米/分，第一区温度在130℃-160℃，1∕2—1∕3大气压，第二区温度150℃-180℃，负1∕2—1∕3大气压，第三区温度150℃-160℃，负1∕2—1∕3大气压；

6）收卷工艺：

经烘箱出布后，收卷→分切→真空包装成品。

5.根据权利要求4所述的纳米半导电无纺布加工工艺，其特征在于，所述高强度纱纵向直线铺网工艺：选用粗细30dtex—50dtex，加拎20%涤纶长丝，经过钢梳平行纵向分布在纤维网棉上，纱之间间距在2mm—5mm之间。