[发明专利]半导体器件栅氧化层的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，其包括下列步骤：

在衬底上形成氧化层；

在所述氧化层上沉积多晶硅；

对所述多晶硅进行光刻和刻蚀，形成多晶硅栅极；

对所述多晶硅栅极的侧壁进行热氧化，在所述侧壁上生长氧化硅；

在所述侧壁上生长氧化硅之后，对所述氧化层进行光刻和刻蚀，将位于源极和漏极上的部分所述氧化层进行减薄形成源、漏极氧化层；

所述对多晶硅进行光刻和刻蚀的步骤之后，所述对多晶硅栅极的侧壁进行热氧化的步骤之前，所述氧化层的厚度大于400埃。

2.根据权利要求1所述的半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述在侧壁上生长氧化硅的步骤中，需要进行氧化硅的过生长；所述对氧化层进行光刻和刻蚀的步骤中，过生长的氧化硅被刻蚀减薄从而恢复期望厚度。

3.根据权利要求2所述的半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述在侧壁上生长氧化硅的步骤中生长的氧化硅厚度为所述期望厚度的120％～200％，其中所述氧化硅为二氧化硅。

4.根据权利要求3所述的半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述期望厚度为50埃，所述在侧壁上生长氧化硅的步骤中生长的氧化硅厚度为80埃。

5.根据权利要求1所述的半导体器件栅氧化层的形成方法，其特征在于，所述在衬底上形成氧化层的步骤，是采用沉积工艺形成所述氧化层，所述氧化层的成分为二氧化硅。