[发明专利]具有成形的框屏蔽内的写入极

说明书

发明内容

各个实施例一般涉及能够在各种数据存储环境中编程数据比特的磁性元件。

根据各个实施例，磁性元件通常可被配置为数据写入器，该数据写入器被构造成至少具有位于框屏蔽内且通过写入间隙与框屏蔽分隔开的写入极。框屏蔽可被配置成维持从写入极的前沿边缘的第一侧至前沿边缘的相对第二侧的至少一分隔距离。

附图说明

图1是根据各个实施例构造和操作的示例数据存储装置的框图表示。

图2例示了能被用在图1的数据存数装置中的示例磁性元件的横截面框图表示。

图3显示了根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图4显示了根据各个实施例构造的示例磁性元件的ABS视图框图表示。

图5例示了根据各个实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图6是根据一些实施例构造的示例磁性元件的一部分的ABS视图框图表示。

图7A和7B提供了根据各个实施例的示例数据写入器制造例程的流程图和相关联例示。

具体实施方式

着重强调数据数据存储装置——尤其是具有更快速的数据访问时间和增大的数据访问可靠性的装置——的形状因子和数据容量导致缩小的尺寸以及增大的数据比特密度。此类数据比特配置可与诸如数据写入极之类的较小的数据访问组件以及日益稳健的磁性屏蔽相配。然而，磁性元件能够通过足够的写入场和梯度来访问数据比特以编程数据同时将磁性元件的磁性范围屏蔽至数据磁道的大小会是挑战性的。因此，能在减小的形状因子的数据存储装置内实现以提供符合高数据比特密度数据存储环境的磁性范围而不减小磁场和梯度的磁性屏蔽配置是行业持续的需求。

因此，可根据一些实施例将磁性元件配置成具有至少一写入极，该写入极被定位在框屏蔽内并且通过写入间隙与框屏蔽分隔开，该写入间隙维持归因于框屏蔽的配置的、从写入极的前沿边缘的第一侧至前沿边缘的相对第二侧的至少一个分隔距离。对在写入极的前沿边缘处具有分隔距离的磁性元件的调整可提供足够准确的屏蔽以定义精确磁性范围同时防止可使磁场和梯度降级的屏蔽-极旁路。另外，经调整的前沿边缘分隔距离可减轻会使在提高的数据比特密度、缩小的形状因子的数据环境中的磁性元件遭殃的侧磁道擦除和毗邻磁道干扰。

虽然可在非限制的各个环境中实践调整的磁性屏蔽，但是图1一般地例示了可根据各个实施例利用调整的磁性元件的示例数据存储装置100的俯视图框图表示。数据存储装置100是在非限制性配置中示出的，其中致动组件102能将换能头104定位在磁性存储介质106上的各个位置上，在该磁性存储介质上，所存储的数据比特108被定位在预定数据磁道110上，该磁性存储介质被配置成具有决定介质106的存储容量的面密度。存储介质106的移动可通过对一个或多个主轴马达112的附连来助益，该一个或多个主轴马达112在使用期间旋转以产生空气承载表面（ABS），在其上面，致动组件102的滑块部分114飞行，以将包括换能头104的头万向架组件（HGA）116定位在介质106的预定部分之上。

换能头104可被配置成具有一个或多个换能元件，如磁性写入器、磁性响应性读取器和磁性屏蔽，它们操作以分别对存储介质106的所选数据磁道110进行编程和读取数据。由此，致动组件102的受控运动对应于换能器与存储介质表面上所定义的磁道110的对准，以写入、读取，以及重写数据。随着数据比特108变得更密集地定位在具有较小径向宽度的数据磁道110中，头部104可能非有意地将磁通量分发到毗邻数据磁道110，这会产生使数据存储装置100的性能降级的差错和不精确的数据存储。

图2显示了根据一些实施例构造的用于减轻缩减的形状因子的数据磁道和更密集打包的数据比特的影响的示例磁性元件120的横截面框图表示。虽然磁性元件120可具有一个或多个数据访问元件，但是示出磁性元件120的磁性数据写入器122部分，其可操作以将数据写入诸如图1的介质106之类的毗邻存储介质。磁性数据写入器122具有主写入极124和至少一个返回极126，其形成写入电路以向毗邻存储介质给予预定磁性定向。