[发明专利]局域等离子体谐振折射率传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种局域等离子体谐振折射率传感器，其特征在于其包括：上层金属帽、介质柱和下层金属孔阵，介质柱位于上层金属帽和下层金属孔阵之间。

2.如权利要求1所述的局域等离子体谐振折射率传感器，其特征在于：所述介质柱的顶部和底部都稍大于中部。

3.如权利要求2所述的局域等离子体谐振折射率传感器，其特征在于：所述局域等离子体谐振折射率传感器的结构是四方晶格、三角晶格或六角晶格排列的。

4.一种局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

步骤一：在干净的石英等透明衬底上旋涂一层粘附膜；

步骤二：在暗室条件下，旋涂一层光刻胶于粘附膜的表面上；

步骤三：对旋涂好光刻胶的样品进行两次正交的双光束曝光或者三束光的一次曝光；

步骤四：对曝光和显影之后的样品垂直沉积金属，为了让金属膜与光刻胶更好的粘连，可以在镀金属之前先镀一层镍或铬，最后得到局域等离子体谐振折射率传感器。

5.如权利要求4所述的局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于：所述粘附膜为聚甲基丙烯酸甲酯薄膜、聚乙烯薄膜或聚丙烯薄膜等。

6.如权利要求4所述的局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于：所述金属为金、银、铂等贵金属或钯、镁等功能性金属。

7.如权利要求4所述的局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于：所述介质柱的顶面近似于切角正方形、三角形、圆形或椭圆，且其顶部和底部都稍大于中部，其周期和大小及高度可根据工作的波长范围进行调整。

8.如权利要求4所述的局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于：所述局域等离子体谐振折射率传感器的结构是四方晶格、三角晶格或六角晶格排列。

9.如权利要求4所述的局域等离子体谐振折射率传感器的制造方法，其特征在于：所述局域等离子体谐振折射率传感器和微流体通道等相连，其也可构成单通道和多通道生物探测系统。