[发明专利]一种基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法

权利要求书

1. 基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，包括如下步骤：

第1步、将硅片置于湿氧环境下进行高温扩散，形成PN结，同时硅片上表面生成氧化层，该氧化层中含有高浓度的掺杂元素；

第2步、除去硅片上表面顶电极区以外的氧化层；

第3步、在硅片上表面淀积本征非晶硅层；

第4步、将硅片置于湿氧环境中进行高温扩散，使硅片非顶电极区的掺杂元素扩散入非晶硅层，降低硅片非顶电极区掺杂元素浓度，实现掺杂元素的逆向扩散；顶电极区氧化层中的掺杂元素向顶电极区扩散，实现顶电极区的重掺杂，同时非晶硅层及非顶电极区的硅片表面被氧化形成氧化层；

第5步、去除硅片表面的氧化层，完成太阳能电池的逆扩散选择性掺杂。

2. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述硅片为P型单晶硅，第1步中，首先将硅片置于湿氧环境下进行高温预扩散，使磷元素扩散入硅片形成PN结，同时硅片表面被氧化形成磷硅玻璃。

3. 根据权利要求2所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：第1步中，生成的氧化层厚度约为0.05微米，氧化层中磷元素的浓度约为1e19/cm³，高温扩散的工艺温度为1000℃，持续时间为30分钟。

4. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述硅片为N型单晶硅，第1步中，首先将硅片置于湿氧环境下进行高温预扩散，使硼元素扩散入硅片形成PN结，同时硅片表面被氧化形成硼硅玻璃。

5. 根据权利要求4所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：第1步中，氧化层厚度约为0.05微米，氧化层中硼元素的浓度为1e19/cm³，高温预扩散的工艺温度为1000℃，持续时间为30分钟。

6. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述第2步中，采用丝网印刷的方法保留顶电极区的氧化层，将硅片上其它区域的氧化层利用氢氟酸缓冲液去除掉。

7. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述第3步中，淀积的本征非晶硅层厚度约为40-50nm。

8. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述第4步中，高温扩散的工艺温度为900℃-1100℃，持续时间为30-2分钟。

9. 根据权利要求1所述的基于逆扩散的太阳能电池选择性掺杂方法，其特征在于：所述第5步中，采用氢氟酸缓冲液去除硅片表面的氧化层。