[发明专利]显示面板、薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：

提供第一基底；

在该第一基底上形成栅极；

在该第一基底上形成介电层；

在该第一基底上形成金属氧化物半导体通道，该金属氧化物半导体通道包括交替地堆叠的多层纳米粒子层及多层金属氧化物半导体层，每一所述多层纳米粒子层包括彼此分离的多个纳米微结构；以及

在该第一基底上形成源极和漏极，其中该栅极与该金属氧化物半导体通道重叠，该介电层阻隔该栅极、该源极及该漏极，该源极及该漏极分别位于该金属氧化物半导体通道的相对两侧，其中所述多个纳米微结构为多个纳米粒子，所述多个纳米粒子的载流子浓度大于该金属氧化物半导体层的载流子浓度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在该第一基底上形成该金属氧化物半导体通道的步骤包括：

所述多个纳米粒子配置在该第一基底上；以及

在所述多个纳米粒子上形成金属氧化物半导体层，以覆盖所述多个纳米粒子。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，其中在该第一基底上形成该金属氧化物半导体通道的步骤包括：

提供所述多个纳米粒子；

提供金属氧化物半导体前驱物；

混合所述多个纳米粒子以及该金属氧化物半导体前驱物，以形成混合液；

使该混合液固化于该第一基底上，以形成该金属氧化物半导体通道。

4.一种薄膜晶体管，其特征在于其包括：

栅极；

介电层；

金属氧化物半导体通道，该金属氧化物半导体通道包括交替地堆叠的多层纳米粒子层及多层金属氧化物半导体层，每一所述多层纳米粒子层包括彼此分离的多个纳米微结构；

源极；以及

漏极，该栅极与该金属氧化物半导体通道重叠，该介电层阻隔该栅极、该源极以及该漏极，该源极以及该漏极分别位于该金属氧化物半导体通道的相对两侧，其中所述多个纳米微结构为多个纳米粒子，所述多个纳米粒子的载流子浓度大于该金属氧化物半导体层的载流子浓度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，其中该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铝锌、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锡、氧化镉·氧化锗、或氧化镍钴，而所述多个纳米微结构的材质包括氧化铟锡或氧化铟锌。

6.一种显示面板，其特征在于其包括：

薄膜晶体管阵列基板，其具有第一基底和多个薄膜晶体管，所述多个薄膜晶体管阵列排列在该第一基底上，而每一个该薄膜晶体管又具有栅极、介电层、金属氧化物半导体通道、源极以及漏极，其中该金属氧化物半导体通道还包括交替地堆叠的多层纳米粒子层及多层金属氧化物半导体层，每一所述多层纳米粒子层包括彼此分离的多个纳米微结构，而该栅极与该金属氧化物半导体通道重叠，该介电层阻隔该栅极、该源极以及该漏极，而该源极以及该漏极分别位于该金属氧化物半导体通道的相对两侧；

对向基板，配置在该薄膜晶体管阵列基板的相对位置；以及

显示介质，配置在该薄膜晶体管阵列基板与该对向基板之间，其中所述多个纳米微结构为多个纳米粒子，所述多个纳米粒子的载流子浓度大于该金属氧化物半导体层的载流子浓度。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，其中该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铝锌、氧化铟锌、氧化铟锌锡、氧化铟镓锌、氧化铟镓、氧化锡、氧化镉·氧化锗、或氧化镍钴，而所述多个纳米微结构的材质包括氧化铟锡或氧化铟锌。