[发明专利]无需独立基准源的欠压保护电路

权利要求书

1.一种无需独立基准源的欠压保护电路，其特征在于它包括：

一个电压-电流转换单元，将被监控电压V_M转换为电流信号I₁、I₂和I₃，由电阻R₁、晶体管Q₁、晶体管Q₂和晶体管Q₃组成，其中，Q₁的集电极和基极相连，Q₁的发射极与电阻R₁串联，Q₁的基极与Q₃的基极相连，Q₁的发射极接地，Q₃的发射极与R₂的一端相连，R₂的另一端接地，Q₂与Q₁的基极相连，Q₂、Q₃的发射极均接地；和

一个电流比较电路单元，对电流I₁、I₂进行比较，得到欠压保护信号，由晶体管M₁-M₆和缓冲器A₁组成，其中，M₁栅极和漏极相连，M₃栅极和漏极相连，M₅栅极和漏极相连，M₁的漏极与Q₂的集电极相连，M₃的漏极与Q₃的集电极相连，M₆和M₄的漏极与缓冲器A₁的输入端相连，从而确定缓冲器A₁输出端的逻辑值，即欠压保护信号V_UVLO。

2.根据权利要求1所述的无需独立基准源的欠压保护电路，其特征在于，所述晶体管Q₁、Q₂和Q₃均为NPN晶体管，其发射结电压V_BE=0.6V～0.7V，所述晶体管M₁-M₄均为PMOS晶体管，其阈值电压V_THP=-0.45V～-0.35V，所述晶体管M₅、M₆均为NMOS晶体管，其阈值电压V_THN=0.34V～0.45V。

3.根据权利要求1所述的无需独立基准源的欠压保护电路，其特征在于，所述电阻R₁和R₂为相同材料实现的电阻，可以是多晶硅电阻或扩散电阻，电阻R₁和R₂的版图设计相互对称匹配。

4.根据权利要求1所述的无需独立基准源的欠压保护电路，其特征在于，所述缓冲器A₁具有信号缓冲的作用，可包含一个或级联多个缓冲器。