[发明专利]非晶硅光电二极管基板的制造方法、基板及半导体装置

权利要求书

1.一种非晶硅光电二极管基板的制造方法，其特征在于，该方法包括：

进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管结构的光传感器及位于所述光传感器下方的接触层的图形，所述接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述接触层与栅电极层同层设置且材料相同；

进行第二次构图工艺，在第一次构图工艺得到的基板上依次形成第一绝缘层、半导体层和源漏电极层的图形；

在第二次构图工艺得到的基板上形成第二绝缘层，进行第三次构图工艺，形成使所述接触层、所述光传感器、所述源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

进行第四次构图工艺，在第三次构图工艺得到的基板上形成导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于源电极和漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述源漏电极层中的源电极或漏电极相连通。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，该方法还包括：

在第四次构图工艺得到的基板上形成第三绝缘层，进行第五次构图工艺，在第四次构图工艺得到的基板上形成至少使栅线部分区域暴露出来的第二过孔；

进行第六次构图工艺，在第五次构图工艺得到的基板上形成用于覆盖所述第二过孔区域的第一透明导电层的图形。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述进行第一次构图工艺，在基板上形成栅电极层、光电二极管及位于所述光传感器下方的接触层的图形为：

在基板上依次形成所述栅电极层、半导体层、第二透明导电层和光刻胶；

对经过上述处理的基板进行曝光显影处理、刻蚀处理、灰化处理形成栅电极层、栅线接触层及光传感器。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述对经过上述处理的基板进行构图曝光显影处理为：

对位于所述栅电极层、栅线及未被光传感器覆盖的接触层区域上方的光刻胶所述光刻胶部分曝光区域进行部分曝光，形成部分曝光区域；

对位于所述光传感器上方的光刻胶完全不曝光，形成完全不曝光区域；

对其他区域涂覆的光刻胶完全曝光，形成完全曝光区域。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对经过上述处理的所述基板进行刻蚀处理、灰化处理为：

对光电二极管结构的除光传感器中第二透明导电层以外的进行刻蚀处理，将完全曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；

对光电二极管结构的除光传感器中的半导体层以外的进行刻蚀处理，将完全曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；

对栅电极层进行刻蚀处理，将完全曝光区域的栅电极层刻蚀掉；

采用灰化工艺将部分曝光区域的光刻胶灰化掉；

对光电二极管结构的除光传感器中第二透明导电层以外的进行刻蚀处理，将部分曝光区域的第二透明导电层刻蚀掉；

对光电二极管结构的除光传感器中的半导体层以外的进行刻蚀处理，将部分曝光区域的光电二极管结构的光传感器中的半导体层刻蚀掉；

将基板上剩余的光刻胶完全剥离掉。

7.一种非晶硅光电二极管基板，包括基板、设置在所述基板上的薄膜晶体管和光电二极管结构的光传感器，其特征在于，还包含有栅线接触层，所述栅线接触层位于所述光传感器的下方，所述栅线接触层未被所述光传感器完全覆盖，所述栅线接触层与所述薄膜晶体管中的栅电极层同层设置且材料相同；

在所述光传感器与所述薄膜晶体管的上方覆盖有第二绝缘层，在所述第二绝缘层上设置有使所述接触层、所述光传感器、所述薄膜晶体管中的源漏电极层部分区域暴露出来的第一过孔；

在所述第二绝缘层的上方设置有导电光罩层，所述光罩层覆盖所述第一过孔及位于所述薄膜晶体管中的源电极和所述漏电极之间的半导体层区域，并使所述接触层与所述薄膜晶体管中的源电极或漏电极相连通。

8.一种半导体装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的非晶硅光电二极管基板。