[发明专利]像素驱动电路及使用其的有源矩阵式有机发光显示器无效
| 申请号: | 201310110141.4 | 申请日: | 2013-04-01 |
| 公开(公告)号: | CN103218971A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
| 发明(设计)人: | 鲁佳浩 | 申请(专利权)人: | 昆山龙腾光电有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/32 | 分类号: | G09G3/32 |
| 代理公司: | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人: | 杨波 |
| 地址: | 215301 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 驱动 电路 使用 有源 矩阵 有机 发光 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种像素驱动电路及使用其的有源矩阵式有机发光显示器。
背景技术
利用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED)显示图像的有机发光显示器相比于目前主流的液晶显示器,具有反应速度较快、对比度更高、视角较广等特点,而逐渐成为下一代显示技术。
有机发光显示器按照像素驱动方式可以分为有源矩阵式(Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED)和无源矩阵式(Passive Matrix Organic Light Emitting Diode,PMOLED)两种。相比于无源矩阵式驱动,有源矩阵式驱动具有功耗低、寿命长、可实现大尺寸显示等优点。
图1为传统的有源矩阵式有机发光显示器的像素驱动电路的示意图。如图1所示,像素驱动电路10用于驱动OLED,OLED的阴极与第一参考电压源VSS相连,像素驱动电路10包括N沟道场效应晶体管M11、N沟道场效应晶体管M12、电容C11。N沟道场效应晶体管M11及N沟道场效应晶体管M12均包括源极、栅极及漏极。N沟道场效应晶体管M11的漏极接收数据信号Data,N沟道场效应晶体管M11的栅极接收扫描信号SCAN,N沟道场效应晶体管M11的源极与N沟道场效应晶体管M12的栅极相连。N沟道场效应晶体管M12的漏极与第二参考电压源OVDD相连,N沟道场效应晶体管M12的源极与OLED的阳极相连。电容C11连接于N沟道场效应晶体管M12的源极与栅极之间。
由像素驱动电路10的结构可知,流过OLED的电流IOLED=β(Vdata-VSS-VOLED-Vth)2,其中,β为常数,Vdata为数据信号Data的电压,VOLED为施加到OLED上的电压,Vth为N沟道场效应晶体管M12的栅极与源极的偏置电压。由于在传统的有源矩阵式有机发光显示器上,每个像素驱动电路均与第一参考电压源VSS相连,当像素驱动电路驱动对应的OLED发光时,每个像素驱动电路接收的第一参考电压源VSS的电压由于走线的不同而存在差异,从而使得流经每个OLED的电流IOLED不同。此外,由于OLED劣化的影响,OLED的跨压VOLED不同,从而使得流经每个OLED的电流IOLED也会有所不同,并且还会使得每个OLED产生的亮度不同,造成有源矩阵式有机发光显示器的亮度不均匀。
因此,有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
本发明要解决的主要技术问题是提供一种像素驱动电路及使用其的有源矩阵式有机发光显示器,其能改善显示器亮度不均匀的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种像素驱动电路,用于驱动有源矩阵式有机发光显示器中一个对应的像素单元中的有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)。像素单元电性连接一条对应的扫描线和一条对应的数据线,OLED包括阳极及阴极,OLED的阴极与第一参考电压源相连。像素驱动电路包括第一至第四晶体管和一个电容。第一晶体管包括第一通路端、第二通路端及第一控制端,第一晶体管的第一通路端接收对应的数据线提供的数据信号,第一晶体管的第一控制端接收对应的扫描线提供的本级扫描信号。第二晶体管包括第三通路端、第四通路端及第二控制端,第二晶体管的第三通路端与第一晶体管的第二通路端相连,第二晶体管的第四通路端与第二参考电压源相连,第二晶体管的第二控制端接收像素单元的上一级像素单元所对应的上一级扫描线所提供的上一级扫描信号。第三晶体管包括第五通路端、第六通路端及第三控制端,第三晶体管的第六通路端与OLED的阳极相连,第三晶体管的第三控制端接收上一级扫描信号。第四晶体管包括第七通路端、第八通路端及第四控制端,第四晶体管的第七通路端与第一直流电压源相连,第四晶体管的第四控制端与第三晶体管的第五通路端相连,第四晶体管的第八通路端与OLED的阳极相连。电容的一端与第一晶体管的第二通路端相连,另一端与第三晶体管的第五通路端相连。
在本发明的一个实施例中,第一晶体管至第四晶体管均为薄膜场效应晶体管。
在本发明的一个实施例中,第一晶体管为N沟道场效应晶体管,第一晶体管的第一通路端为漏极,第一晶体管的第一控制端为栅极,第一晶体管的第一通路端为源极。
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