[发明专利]像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示领域，尤其涉及一种像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置。

背景技术

由于多媒体社会的急速进步，半导体元件及显示装置的技术也随之具有飞跃性的进步。

就显示器而言，由于主动式矩阵有机发光二极管（Active Matrix Organic Light Emitting Diode,AMOLED）显示器具有无视角限制、低制造成本、高应答速度（约为液晶的百倍以上）、省电、自发光、可用于可携式机器的直流驱动、工作温度范围大以及重量轻且可随硬件设备小型化及薄型化等等优点以符合多媒体时代显示器的特性要求。因此，主动式矩阵有机发光二极管显示器具有极大的发展潜力，可望成为下一代的新型平面显示器，从而取代液晶显示器（Liquid Crystal Display,LCD）。

目前主动式矩阵有机发光二极管显示面板主要有两种制作方式，其一是利用低温多晶硅（LTPS）的薄膜晶体管（TFT）工艺技术来制作，而另一则是利用非晶硅（α-Si）的薄膜晶体管（TFT）工艺技术来制作。其中，由于低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术需要比较多道的掩模制造工艺而导致成本上升。因此，目前低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术主要应用在中小尺寸的面板上，而非晶硅的薄膜晶体管工艺技术则主要应用在大尺寸的面板上。

一般来说，采用低温多晶硅的薄膜晶体管工艺技术所制作出来的主动式矩阵有机发光二极管显示面板，其像素电路中的薄膜晶体管的型态可以为P型或N型，但无论是选择P型还是N型薄膜晶体管来实现有机发光二极管像素电路，流经有机发光二极管的电流不仅会随着有机发光二极管的导通电压（Voled_th）经长时间应力的变化而改变，而且还会随着用以驱动有机发光二极管的薄膜晶体管的临限电压漂移（Vth shift）而有所不同。如此一来，将会连带影响到有机发光二极管显示器的亮度均匀性与亮度恒定性。

发明内容

本发明提供了一种像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置。可有效提高有机发光显示面板的影像均匀性，可减缓有机发光器件的衰减速度，确保有机发光显示面板亮度的均匀性和恒定性。

本发明实施例提供的技术方案如下：

本发明实施例提供了一种像素电路，包括：驱动晶体管、第一存储电容、采集单元、写入单元、发光单元；其中，

所述驱动晶体管的源极连接电源电压输入端；

所述第一存储电容的第一端连接所述驱动晶体管的栅极；

所述采集单元，分别与第一扫描信号输入端、可控低电压输入端、驱动晶体管、第一存储电容的第一端、写入单元以及发光单元连接，用于在第一扫描信号的控制下，采集所述驱动晶体管的阈值电压并将所述阈值电压存储至所述第一存储电容中；

所述写入单元，分别与第二扫描信号输入端、数据电压输入端、可控低电压输入端、第一存储电容的第二端以及采集单元连接，用于在第二扫描信号的控制下，存储所述数据电压输入端输入的数据电压；

所述发光单元，分别与发光控制信号输入端、驱动晶体管的漏极以及采集单元连接，用于在发光控制信号的控制下，由所述数据电压和所述可控低电压输入端输入的电压驱动发光。

优选的，所述采集单元包括：

第二晶体管、第四晶体管以及第五晶体管；

所述第二晶体管的源极与所述驱动晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第二晶体管的漏极与所述驱动晶体管的栅极连接；

所述第四晶体管的源极与所述第一存储电容的第二端连接，所述第四晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第四晶体管的漏极与所述可控低电压输入端连接；

所述第五晶体管的栅极与所述第一扫描信号输入端连接，所述第五晶体管的漏极与所述可控低电压输入端连接。

优选的，所述写入单元包括：

第三晶体管和第二存储电容；

所述第三晶体管的源极分别与所述第一存储电容的第二端、第二存储电容的第一端、第四薄膜晶体管的源极连接，所述第三晶体管的栅极与所述第二扫描信号输入端连接，所述第三晶体管的漏极与所述数据电压输入端连接；

所述第二存储电容的第二端与所述可控低电压输入端连接。

优选的，所述发光单元包括：

第六晶体管以及有机发光二极管；