[发明专利]薄膜和制造薄膜的方法

权利要求书

1.一种制造薄膜的方法，所述方法包括：

通过离子注入法将离子注入原始基板的表面，从而在原始基板中形成薄膜层、分离层和余料层，其中，薄膜层位于原始基板的表面，分离层位于薄膜层和余料层之间，注入离子分布在分离层内；

使目标基板与原始基板的薄膜层接触，进而利用晶片键合法将原始基板与目标基板键合在一起，以形成键合体；

将键合体放入预定容器内以对键合体进行加热，使得薄膜层和余料层分离；

在薄膜层和余料层分离之后，在预定容器内以大于5bar的气压的气氛的条件继续对薄膜层和目标基板加热达预定时间。

2.根据权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，

所述气压为30bar至600bar。

3.根据权利要求1或2所述的制造薄膜的方法，其中，

在对键合体进行加热以使薄膜层和余料层分离的步骤中，在预定容器内保持气压大于5bar的气氛条件下加热键合体。

4.根据权利要求3所述的制造薄膜的方法，其中，

在以大于5bar的气压的气氛的条件下继续对薄膜层和目标基板加热预定时间的步骤中，向预定容器通入氧气，将薄膜在气压大于5bar的气氛条件下继续加热预定时间以使键合气体从薄膜层和目标基板之间充分扩散出去。

5.根据权利要求4所述的制造薄膜的方法，其中，

在对键合体进行加热以使薄膜层和余料层分离的步骤中所使用的气压大于5bar的气氛中含有氧气。

6.根据权利要求3所述的制造薄膜的方法，其中，所述方法还包括：

在大于5bar的气压的气氛条件下继续对薄膜层和目标基板加热预定时间的步骤之后，以低于2bar的气压的气氛条件下继续加热薄膜层并且在此低于2bar的气压的气氛下的加热过程中通入氧气。

7.根据权利要求6所述的制造薄膜的方法，其中，

在对键合体进行加热以使薄膜层和余料层分离的步骤中所使用的气压大于5bar的气氛中不含氧气。

8.根据权利要求1或2所述的制造薄膜的方法，其中，

在对键合体进行加热以使薄膜层和余料层分离的步骤中，在气压低于2bar的气氛条件下加热键合体，使得薄膜层和余料层分离。

9.根据权利要求8所述的制造薄膜的方法，其中，

在以大于5bar的气压的气氛条件下继续对薄膜层和目标基板加热预定时间的步骤中，将含有氧气且气压大于5bar的气体充入预定容器内，将薄膜在该气氛条件下加热直至键合气体从薄膜层和目标基板之间充分扩散出去。

10.根据权利要求9所述的制造薄膜的方法，其中，

在对键合体进行加热以使薄膜层和余料层分离的步骤中所使用的气压低于2bar的气氛含有氧气。

11.根据权利要求8所述的制造薄膜的方法，其中，

在以大于5bar的气压的气氛条件下继续对薄膜层和目标基板加热预定时间的步骤之后，以低于2bar的气压的气氛条件下继续加热薄膜层并且在此低于2bar的气压的气氛条件下的加热过程中通入氧气。

12.根据权利要求1、2、4、6、9和11中任一项所述的制造薄膜的方法，其中，

最后对薄膜层进行表面抛光处理，得到成品薄膜。

13.根据权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，

离子注入法选自离子注入机注入法、等离子体浸泡离子注入法和不同注入温度的分段注入离子注入法中的任意一种。

14.根据权利要求1所述的制造薄膜的方法，其中，

离子注入法中所注入的离子选自氢离子、或氦离子、或氢离子和氦离子二者。