[发明专利]一种抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺

权利要求书

1.一种抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤如下：

（1）沉积电极材料的制备

采用非自耗电弧熔炼技术将Co金属粉末和Mn金属粉末混合均匀后经行熔炼，然后将熔炼好的CoMn合金退火，然后将其制作成棒状，清洗干净作为沉积电极材料备用；

（2）合金涂层的制备

采用高能微弧火花沉积设备，将步骤（1）制备的沉积电极，作为沉积过程中的阴极，将打磨并清洗干净的金属作为基体材料，在惰性气体保护下，在金属表面进行电火花沉积，即生成一层CoMn合金涂层；

（3）合金涂层的预氧化

将步骤（2）制备的CoMn合金涂层在空气气氛中加热预氧化，即可在CoMn合金层表面形成CoMn尖晶石涂层。

2.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（1）所述的沉积电极的清洗为在丙酮溶液中超声辅助除油清洗干净，晾干；步骤（2）所述的金属基体材料的打磨为将金属经400-1200^#的砂纸逐级打磨，所述的清洗为在丙酮溶液中超声除油清洗干净，晾干。

3.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（1）所述的Co金属粉末和Mn金属粉末的纯度都＞99.9wt.%，两者可以以任意比例混合。

4.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（1）所述的CoMn合金退火条件为真空退火温度为900-1100°C，时间为40-60h。

5.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（2）所述的惰性气体为氩气，流量为5-30L/min。

6.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（1）所述的沉积电极直径为2～4mm；步骤（2）所述的电火花沉积工艺为沉积电源为单向交流电源，沉积电压为40-80V，频率为400-600Hz，脉宽为200-400μs，功率为300-3000W，电极的旋转速度为1000r/min-4500r/min，沉积时间为2-20min。

7.根据权利要求1所述的抗氧化导电尖晶石涂层的制备工艺，其特征在于：步骤（3）所述的预氧化温度为600-800°C；氧化时间为4～10h。