[发明专利]晶体振荡器在审

专利信息
申请号: 201310106284.8 申请日: 2013-03-29
公开(公告)号: CN103457569A 公开(公告)日: 2013-12-18
发明(设计)人: 浅村文雄 申请(专利权)人: 日本电波工业株式会社
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本东京涉谷区笹*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 晶体振荡器
【权利要求书】:

1.一种晶体振荡器,其包括:

晶体封装,包含收容有晶体振子的绝缘性容器;以及

集成电路芯片基板,搭载集成有振荡电路的集成电路芯片,所述振荡电路用于基于所述晶体振子的振动信号来生成规定频率的振荡信号,所述晶体振荡器的特征在于,

所述晶体封装包括:

第1容器,由平板状的第1底壁层及第1框壁层所形成,所述第1底壁层是由绝缘材料所形成,所述第1框壁层是设在所述第1底壁层的端缘而形成第1凹部;

晶体振子,沿着所述第1底壁层的内面而收容在所述第1凹部内;

盖体,固定于所述第1框壁层以气密地密封所述第1凹部,且所述盖体仅由绝缘材料所形成;以及

外部端子,位于所述第1容器的所述第1底壁层的外底面,用于输出所述晶体振子的振动信号,

所述晶体振子具有:晶体片、位于所述晶体片的上面的上侧激振电极、及位于所述晶体片的下面的下侧激振电极,

集成于所述集成电路芯片上的振荡电路是设在所述晶体封装的所述第1底壁层的外底面,且从所述外部端子将所述晶体振子的所述下侧激振电极连接于高阻抗的输入侧,将所述上侧激振电极连接于低阻抗的输出侧,以将所述上侧激振电极作为所述晶体振子的屏罩电极。

2.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,所述晶体封装包括:

晶体封装框壁层,具有通过晶体板的加工而形成的框体、通过连结部连结于所述框体内壁的晶体片、形成在所述晶体片的表面背面的所述上侧激振电极与所述下侧激振电极、以及从这些激振电极各自遍及所述连结部并沿着所述框体的表面背面而引绕的引出电极;

晶体封装的底壁层,由绝缘材料所形成,且接合于所述晶体封装框壁层的所述集成电路芯片基板侧;以及

盖体,由绝缘材料所形成,且接合于所述晶体封装的与所述集成电路芯片基板为相反侧的面。

3.根据权利要求2所述的晶体振荡器,其特征在于,

形成所述晶体封装的底壁层与所述盖体的绝缘材料为晶体材。

4.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,所述晶体封装包括:

第1容器,由平板状的第1底壁层及第1框壁层所形成,所述第1底壁层是由绝缘材料所形成,所述第1框壁层是设在所述第1底壁层的端缘而形成第1凹部;

晶体振子,沿着所述第1底壁层的内面而收容在所述第1凹部内;

盖体,固定于所述第1框壁层以气密地密封所述第1凹部,且所述盖体仅由绝缘材料所形成;以及

外部端子,位于所述第1容器的所述第1底壁层的外底面,用于输出所述晶体振子的振动信号,

所述晶体振子具有:晶体片、位于所述晶体片的上面的上侧激振电极、及位于所述晶体片的下面的下侧激振电极,

集成于所述集成电路芯片上的振荡电路是设在所述晶体封装的所述第1底壁层的外底面,且从所述外部端子将所述晶体振子的所述下侧激振电极连接于高阻抗的输入侧,将所述上侧激振电极连接于低阻抗的输出侧,以将所述上侧激振电极作为所述晶体振子的屏罩电极。

5.根据权利要求1所述的晶体振荡器,其特征在于,

所述集成电路芯片基板是:由平板状的第2底壁层及第2框壁层来形成第2容器,所述第2底壁层是由绝缘材料所形成,所述第2框壁层是设在所述第2底壁层的端缘以形成第2凹部,且所述集成电路芯片基板沿着所述第2底壁层的内面而将所述集成电路芯片搭载于所述第2凹部内,

在构成所述第2容器的所述第2凹部的、所述第2框壁层的开口端面,具备与所述外部端子电性连接的连接端子,并且具备安装端子,所述安装端子用于将安装设备平面安装于所述第2底壁层的外底面,

所述晶体封装的外部端子与所述集成电路芯片基板的连接端子通过金属接合而电性连接,所述金属接合是通过分散在加入有焊料粒子的热固化树脂中的焊料粒子的咬入而实现。

6.根据权利要求5所述的晶体振荡器,其特征在于,

所述晶体封装的所述第1容器的所述外底面、与在所述集成电路芯片基板中构成的所述第2容器的所述第2框壁层的开口端面的接合部分的、包含所述外部端子及所述连接端子在内的所有区域是:通过所述加入有焊料粒子的热固化树脂而密封接合。

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